合肥晶合集成电路股份有限公司金文祥获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器的制造方法和背照式图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099733B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511635099.7，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权背照式图像传感器的制造方法和背照式图像传感器是由金文祥;陈义元;吴凯;郇小伟设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器的制造方法和背照式图像传感器在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种背照式图像传感器的制造方法和背照式图像传感器，该方法包括：提供器件晶圆，器件晶圆包括功能区域和焊垫区域，在焊垫区域器件晶圆背面的焊垫窗口暴露出焊垫；在器件晶圆背面依次沉积第一介质层和刻蚀停止层，第一介质层和刻蚀停止层覆盖器件晶圆背面以及焊垫窗口的侧壁和底部；图形化去除焊垫区域的刻蚀停止层；在器件晶圆背面沉积第二介质层，第二介质层覆盖器件晶圆背面且过填充焊垫窗口；基于保留的刻蚀停止层，图形化去除功能区域的第二介质层；灰化去除刻蚀停止层后，对焊垫区域进行化学机械研磨，以平坦化器件晶圆背面。本申请实施例降低化学机械研磨过程中焊垫边缘裂纹的产生概率，从而提升器件良率与可靠性。
本发明授权背照式图像传感器的制造方法和背照式图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器的制造方法，包括： 提供器件晶圆，所述器件晶圆包括功能区域和焊垫区域，在所述焊垫区域所述器件晶圆背面的焊垫窗口暴露出焊垫； 在所述器件晶圆背面依次沉积第一介质层和刻蚀停止层，所述第一介质层和刻蚀停止层覆盖所述器件晶圆背面以及所述焊垫窗口的侧壁和底部； 图形化去除所述焊垫区域的所述刻蚀停止层，仅保留所述功能区域的刻蚀停止层，所述焊垫区域正上方的刻蚀停止层被去除且刻蚀停止于所述第一介质层； 在所述器件晶圆背面沉积第二介质层，所述第二介质层覆盖所述器件晶圆背面且过填充所述焊垫窗口； 基于保留的所述刻蚀停止层，图形化去除所述功能区域的所述第二介质层，保留所述焊垫区域的所述第二介质层； 灰化去除所述刻蚀停止层后，对所述焊垫区域进行化学机械研磨，以平坦化所述器件晶圆背面，其中基于所述功能区域的所述第一介质层实时检测化学机械研磨终点。
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