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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种基于相变薄膜的单片集成可重构硅光子平台及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121186921B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511726795.9，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权一种基于相变薄膜的单片集成可重构硅光子平台及制备方法是由李朝晖;曾孝杰;曾思清;李焱设计研发完成，并于2025-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于相变薄膜的单片集成可重构硅光子平台及制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及光子集成芯片技术领域，涉及一种基于相变薄膜的单片集成可重构硅光子平台及制备方法。包括：SOI晶圆衬底；核心波导层：通过在SOI晶圆上刻蚀形成硅波导，用于光信号的传输和导波；相变材料层：以单片共形集成方式覆盖所述核心波导层的表面，形成全器件连续分布的相变调控区域；通过在所述相变调控区域内选择性晶化去晶化，实现对光信号的大范围调控；对硅波导上的相变材料层连续晶化一系列像素级的晶化单元，以实现光学相位的分级调控；以及保护层。本发明在标准的硅光子芯片上单片共形集成一层相变材料层，通过对相变材料层进行连续的一系列像素级、可逆的相变操作，从而实有效提高了多级相位调控的精度以及调制的范围。

本发明授权一种基于相变薄膜的单片集成可重构硅光子平台及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于相变薄膜的单片集成可重构硅光子平台，其特征在于，由下至上依次包括： SOI晶圆衬底； 核心波导层：通过在SOI晶圆上刻蚀形成硅波导以组成光波导网络，用于光信号的传输和导波； 相变材料层：以单片共形集成方式覆盖所述核心波导层的表面，形成全器件连续分布的相变调控区域；通过在所述相变调控区域内选择性晶化去晶化，实现对光信号的大范围调控；对硅波导上的相变材料层连续晶化一系列像素级的晶化单元，以实现光学相位的分级调控；通过改变晶化单元大小，以及改变晶化单元的个数来控制总晶化长度，从而实现传播相位的分级调控；通过在相变材料层晶化或去晶绘制出复杂相变图案以实现对传播光场的调制； 以及保护层； 其中，所述相变材料层单片共形集成于硅波导上表面，整个光波导网络上表面均有相变材料，并且相变材料层与光波导网络具有相同的形状图案；所述相变材料层单片共形集成包括采用共刻蚀制备工艺，相变材料层和SOI晶圆一同进行同版图刻蚀，实现共形集成制备。

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