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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利光电耦合结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121186938B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511726434.4，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权光电耦合结构及其制造方法是由赵玥琪;李晨晖设计研发完成，并于2025-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电耦合结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种光电耦合结构及其制造方法。光电耦合结构包括：基板；电子集成芯片和第一芯片，位于基板上，多个第一芯片环绕电子集成芯片外围间隔设置；重布线层，位于电子集成芯片与第一芯片上；多个第二芯片，位于重布线层上，且沿电子集成芯片边界延伸方向间隔设置；多个光子集成芯片，位于重布线层上，且环绕第二区域间隔设置；其中，光子集成芯片的投影与第一芯片的投影至少部分重叠，光子集成芯片的投影与电子集成芯片的投影至少部分重叠；光子集成芯片通过重布线层与电子集成芯片电性互连。如此，可以改善光电耦合结构中高速信号在传输过程中的信号完整性，减少传输损耗，减少封装占用面积，提高封装结构集成度。

本发明授权光电耦合结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光电耦合结构的制造方法，其特征在于，所述光电耦合结构的制造方法包括： 提供第一载板，所述第一载板上形成有重布线层； 将至少一个电子集成芯片和多个第一芯片倒装键合在所述重布线层上；其中，多个所述第一芯片环绕所述电子集成芯片外围间隔设置，所述电子集成芯片在所述重布线层所在平面的投影位于第一区域； 在所述电子集成芯片和所述第一芯片远离所述第一载板的表面键合第二载板，并解键合所述第一载板，暴露所述重布线层的表面； 将多个第二芯片和多个光子集成芯片倒装键合在所述重布线层上；其中，多个所述第二芯片沿所述电子集成芯片边界延伸方向间隔设置，多个所述第二芯片在所述重布线层所在平面的投影位于第二区域，所述第二区域位于所述第一区域内；多个所述光子集成芯片环绕所述第二区域间隔设置，所述光子集成芯片在所述重布线层所在平面的投影与所述第一芯片在所述重布线层所在平面的投影至少部分重叠，所述光子集成芯片在所述重布线层所在平面的投影与所述电子集成芯片在所述重布线层所在平面的投影至少部分重叠；所述光子集成芯片通过所述重布线层与所述电子集成芯片电性互连； 在所述第二芯片和所述光子集成芯片远离所述第二载板的表面键合第三载板，并解键合所述第二载板，暴露所述电子集成芯片和所述第一芯片的表面； 在所述电子集成芯片和所述第一芯片远离所述第三载板的表面键合基板，并解键合所述第三载板，形成所述光电耦合结构。

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