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龙图腾网获悉内蒙古申弘新材料科技有限公司申请的专利一种高纯碳化硅粉末的制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121202570B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511775981.1，技术领域涉及：C04B35/573；该发明授权一种高纯碳化硅粉末的制备工艺是由林斌设计研发完成，并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高纯碳化硅粉末的制备工艺在说明书摘要公布了：本发明属于功能粉体材料制备技术领域，公开了一种高纯碳化硅粉末的制备工艺，包括：构建从前驱体超纯化、气相原位转化、微观形貌调控至无损收集的全流程一体化封闭系统；通过二级深冷精馏与吸附纯化获得超高纯硅烷和甲烷气体，经等离子体活化分解后，在多温区垂直反应器中实现均匀成核与可控生长，并引入HCl进行原位刻蚀净化，最后经极速淬冷与全封闭收集获得最终产物。通过采用上述技术方案，本申请能够实现总金属杂质低于50ppb、氧含量低于100ppm、粒径0.1–2.0μm精确可控且形貌均一的高纯碳化硅粉末的稳定制备。

本发明授权一种高纯碳化硅粉末的制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种高纯碳化硅粉末的制备工艺，其特征在于，所述工艺在一个由前驱体供给与纯化单元、多温区垂直气相反应单元以及产物收集与分离单元气密连通构成的集成化封闭系统内连续进行，并包括以下步骤： 在前驱体供给与纯化单元中，对气态硅源与气态碳源进行纯化处理，以获得预设碳硅原子比的、金属杂质总含量低于10ppb且氧含量低于1ppm的反应前驱气体； 所述反应前驱气体与载气混合后，自上而下依次引入所述多温区垂直气相反应单元的五个功能独立的温区，所述五个温区包括： 等离子体活化区，用于将所述反应前驱气体分解为高活性的原子及自由基物种； 过饱和成核区，用于在陡峭的负温度梯度下引发气相均匀成核，形成碳化硅纳米晶核，所述引发气相均匀成核的步骤，是在一个从过饱和成核区入口处的2200℃线性下降至出口处的1900℃、梯度值达到10℃cm的陡峭负温度梯度环境中进行的； 晶粒生长区，用于在平缓的温度剖面下，使所述碳化硅纳米晶核通过表面化学反应生长为预定粒径的碳化硅颗粒，在所述晶粒生长区中，使碳化硅纳米晶核生长的步骤，是在一个从晶粒生长区入口处的1900℃平滑过渡至出口处的1750℃的平缓下降温度剖面下进行； 原位刻蚀净化区，用于通过引入痕量化学刻蚀气体，选择性去除所述碳化硅颗粒的表面污染物与晶格缺陷相；以及 热处理与淬冷区，用于对所述碳化硅颗粒进行晶格弛豫，并随后以大于2000℃s的冷却速率进行快速淬冷，在所述热处理与淬冷区中，所述晶格弛豫与快速淬冷的步骤具体包括： 所述碳化硅颗粒在一个温度维持在1700℃、长度为300mm的热处理段停留20ms，进行晶格弛豫和表面原子重排； 使携带高温颗粒的气固两相流进入一个长度为900mm的淬冷段，在该淬冷段，通过对其反应管外壁设置的夹套式通道通入液氮进行外部冷却，并同时通过多个径向设置的喷嘴向管内高速喷射经过液氮预冷至-150℃的超高纯氩气，实现内外联合的强制冷却； 最后，在所述产物收集与分离单元中，将经过淬冷后的碳化硅粉末从载气流中进行分离与收集。

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