合肥晶合集成电路股份有限公司崔立加获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利图像传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310679B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511854097.7，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其制造方法是由崔立加;张浩;叶家顺;余义祥设计研发完成，并于2025-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了图像传感器及其制造方法，所述制造方法包括：在半导体层中形成相互连通的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的中部具有较大的开口尺寸；在相互连通的第一沟槽和第二沟槽中形成隔离介质层，至少位于所述第一沟槽的隔离介质层中形成有气隙；以及去除所述半导体层的上部，隔离介质层保留于沟槽中的部分形成隔离结构，隔离介质层被暴露出的部分形成格栅结构。
本发明授权图像传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，包括： 在半导体层中形成相互连通的第一沟槽和第二沟槽，相对于所述第一沟槽的底部和所述第一沟槽的顶部，所述第一沟槽的中部具有较大的开口尺寸； 在相互连通的第一沟槽和第二沟槽中形成隔离介质层，至少位于所述第一沟槽的隔离介质层中形成有气隙； 去除所述半导体层的上部，隔离介质层保留于沟槽中的部分形成隔离结构，隔离介质层被暴露出的包括所述气隙的部分形成格栅结构，所述格栅结构的顶部成为第一隔离介质层、第二隔离介质层、第三隔离介质层、第二隔离介质层、第一隔离介质层的横向排列结构；以及 形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体层的表面； 形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层的表面，并且覆盖所述格栅结构的顶部和侧壁； 形成第三介质层，共形地覆盖所述第二介质层的表面； 所述第二介质层与所述第二隔离介质层的材质相同，在所述格栅结构的顶部，所述第二介质层与所述格栅结构顶部暴露的第二隔离介质层接触。
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