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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利α相三氧化钼薄膜的制备方法、背栅硅基场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121357965B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511922973.5，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权α相三氧化钼薄膜的制备方法、背栅硅基场效应晶体管及其制备方法是由林伟毅;罗明;徐亚滢;代和韬设计研发完成，并于2025-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本α相三氧化钼薄膜的制备方法、背栅硅基场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及α相三氧化钼薄膜的制备方法、背栅硅基场效应晶体管及其制备方法。本发明将前驱体分散于有机溶剂中，得到前驱体溶液，前驱体含有钼元素和硫元素；将前驱体溶液涂覆于衬底表面，得到带有前驱体湿膜的衬底；将带有前驱体湿膜的衬底依次热处理、在保护气体气氛中进行第一退火处理、在氧化性气氛中进行第二退火处理，得到α相三氧化钼薄膜。本发明得到的α相三氧化钼薄膜具有薄膜质量高、界面特性优异、晶相纯度高的特点，作为栅极介质层材料能够与二维半导体沟道形成高质量、无损伤的界面，并实现超薄的EOT，从而解决现有技术中FET存在的漏电流大、栅控能力弱的问题。

本发明授权α相三氧化钼薄膜的制备方法、背栅硅基场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背栅硅基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在衬底表面制备栅极介质层，所述栅极介质层按照以下所述的制备方法制得： 将前驱体分散于有机溶剂中，得到前驱体溶液，所述前驱体含有钼元素和硫元素； 将所述前驱体溶液涂覆于衬底表面，形成前驱体湿膜，得到带有前驱体湿膜的衬底； 将所述带有前驱体湿膜的衬底进行热处理，形成前驱体薄膜，得到带有前驱体薄膜的衬底； 将所述带有前驱体薄膜的衬底在保护气体气氛中进行第一退火处理，形成二硫化钼中间相薄膜，得到带有二硫化钼中间相薄膜的衬底，所述第一退火处理的温度为650~750℃，时间为15~30min；所述保护气体气氛为氮气和或氩气； 将所述带有二硫化钼中间相薄膜的衬底在氧化性气氛中进行第二退火处理，在衬底表面得到α相三氧化钼薄膜，所述第二退火处理的温度为350~450℃，时间为15~30min；所述氧化性气氛为含有氧气的气氛； 在所述栅极介质层表面制备沟道层；在所述沟道层表面制备金属电极。

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