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龙图腾网获悉上海新傲芯翼科技有限公司申请的专利衬底的氧化方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121358183B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511923054.X，技术领域涉及：H10P14/692；该发明授权衬底的氧化方法及半导体器件是由汪子文;陆琼;戴荣旺;魏星;李炜设计研发完成，并于2025-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本衬底的氧化方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种衬底的氧化方法及半导体器件，在衬底的氧化方法中，确定待形成的氧化层的目标厚度，氧化层的目标厚度大于0μm且小于等于4μm；根据目标厚度，确定衬底的目标氧含量和衬底的目标氮含量，衬底的目标氧含量为6newppma~18newppma，衬底的目标氮含量为1×1013atomscm3~3×1015atomscm3；提供具有目标氧含量和目标氮含量的衬底；根据氧化层的目标厚度，确定氧化工艺的氧化温度和氧化时间；根据氧化工艺的氧化温度和氧化时间，对衬底执行氧化工艺以在衬底上形成目标厚度的氧化层。如此，使得不同目标厚度的氧化层所对应的衬底中的体微缺陷的尺寸和密度均不同，并调整了氧化工艺的氧化温度和氧化时间，避免因氧化温度过高以及氧化时间过长而导致的滑移线缺陷。

本发明授权衬底的氧化方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种衬底的氧化方法，其特征在于，包括： 确定待形成的氧化层的目标厚度，所述氧化层的目标厚度大于0μm且小于等于4μm； 根据所述目标厚度，确定衬底的目标氧含量和目标氮含量，所述衬底的目标氧含量为6newppma~18newppma，其中，当所述氧化层的目标厚度大于0μm且小于2μm时，则所述衬底的目标氧含量为6newppma~10newppma，当所述氧化层的目标厚度大于等于2μm且小于等于3μm时，则所述衬底的目标氧含量为10newppma~14newppma，当所述氧化层的目标厚度大于3μm且小于等于4μm时，则所述衬底的目标氧含量为14newppma~18newppma；所述衬底的目标氮含量为1×1013atomscm3~3×1015atomscm3； 提供具有所述目标氧含量和所述目标氮含量的衬底； 根据所述目标厚度，确定氧化工艺的氧化温度和氧化时间； 根据所述氧化工艺的氧化温度和氧化时间，对所述衬底执行氧化工艺以在所述衬底上形成所述目标厚度的氧化层。

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