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龙图腾网获悉北京清微智能科技有限公司申请的专利一种适用于分布式3D-DRAM的统一内存架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121364959B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511938462.2，技术领域涉及：G06F9/54；该发明授权一种适用于分布式3D-DRAM的统一内存架构是由刘超;欧阳鹏;于义;李秀冬;王博设计研发完成，并于2025-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于分布式3D-DRAM的统一内存架构在说明书摘要公布了：本申请提供了一种适用于分布式3D‑DRAM的统一内存架构，涉及人工智能技术领域，包括：存储层、缓冲层及逻辑层；所述存储层由多个DRAM颗粒通过三维堆叠形成，用于存储数据；所述DRAM颗粒通过硅通孔技术与所述缓冲层互联；所述缓冲层，位于所述存储层与所述逻辑层之间，用于对来自所述存储层的数据进行预处理并执行数据流调度；所述逻辑层集成多个计算核心，用于对所述缓冲层调度的数据流进行并行处理；所述计算核心通过硅通孔技术与所述缓冲层互联，且与所述DRAM颗粒一一对应。本申请实现了在分布式3D‑DRAM架构下对本地与远程内存的统一高效访问，从而降低编程复杂度并提升整体计算性能。

本发明授权一种适用于分布式3D-DRAM的统一内存架构在权利要求书中公布了：1.一种适用于分布式3D-DRAM的统一内存架构，其特征在于，包括：存储层、缓冲层、逻辑层、多个第一数据接口及多个第二数据接口； 所述存储层由多个DRAM颗粒通过三维堆叠形成，用于存储数据；所述DRAM颗粒通过硅通孔技术与所述缓冲层互联； 所述缓冲层，位于所述存储层与所述逻辑层之间，用于对来自所述存储层的数据进行预处理并执行数据流调度； 所述逻辑层集成多个计算核心，用于对所述缓冲层调度的数据流进行并行处理；所述计算核心通过硅通孔技术与所述缓冲层互联，且与所述DRAM颗粒一一对应； 所述DRAM颗粒通过对应的第一数据接口与所述缓冲层进行数据交互； 所述计算核心通过对应的第二数据接口与所述缓冲层进行数据交互； 所述缓冲层包括交换网络、多个第一虚拟接口、多个局部缓存单元及多个全局数据流管理引擎； 所述交换网络用于通过所述第一虚拟接口在所述DRAM颗粒与所述计算核心之间进行多通道并行的数据交换； 每个所述全局数据流管理引擎与一个对应的局部缓存单元相连； 所述全局数据流管理引擎和所述局部缓存单元通过所述第一数据接口与所述存储层进行数据交互，通过所述第二数据接口与所述逻辑层进行数据交互，并通过所述第一虚拟接口与所述交换网络进行数据交互； 所述全局数据流管理引擎用于执行跨计算核心的数据流同步、数据流路径规划、对数据进行聚合-分拆以及数据排布变换操作； 所述局部缓存单元用于对接收到的数据进行缓存。

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