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龙图腾网获悉苏州凌存科技有限公司申请的专利一种3D电容器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121368183B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511941403.0，技术领域涉及：H10D88/00；该发明授权一种3D电容器及其制备方法是由吴迪;陈劲中;李岳升设计研发完成，并于2025-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种3D电容器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种3D电容器及其制备方法，属于半导体领域。本申请提供3D电容器包括硅衬底；硅衬底上方依次设有绝缘层和第一金属层；第一金属层上方有多个垂直堆叠的功能层；每个功能层从下至上至少包括形成有多个沟槽的SiO2层，以及位于所述SiO2层之上的第二金属层，其中，在所述SiO2层中，从下至上依次层叠设有第一下电极层、第一介电层及第一上电极层，第一下电极与第一金属层相连，第一上电极层的顶部与第一通孔相连；SiO2层的至少一侧，还设有第二通孔；下方功能层的第二金属层与上方相邻功能层的第二金属层连接。本申请提供的3D电容器及其制备方法，可实现电容器容值的增加。

本发明授权一种3D电容器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种3D电容器，其特征在于，所述3D电容器包括： 硅衬底； 所述硅衬底上方依次设有绝缘层和第一金属层；所述第一金属层上方有多个垂直堆叠的功能层； 每个所述功能层从下至上至少包括形成有多个沟槽的SiO2层，以及位于所述SiO2层之上的第二金属层，其中，在所述SiO2层中，从下至上依次层叠设有第一下电极层、第一介电层及第一上电极层，所述第一下电极层与第一金属层相连，所述第一上电极层的顶部与第一通孔相连，通过所述第一通孔连接所述第一上电极层和所述第二金属层中的第一部分； 所述SiO2层的至少一侧，还设有第二通孔，所述第二通孔将所述第一金属层电性连接至所述第二金属层的第二部分，所述第二通孔的长度大于所述第一通孔，所述第一部分和第二部分电性隔绝； 其中，下方功能层的第二金属层与上方相邻功能层的第二金属层连接，多个功能层中的电容并联；对于任一除最顶层功能层外的功能层的第二金属层，在承载本层电容的电极连接功能的同时，还为上方相邻的功能层提供与第一金属层相同的基底连接作用。

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