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龙图腾网获悉盛吉盛半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种用于RTP工艺的晶圆状态监测方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121368361B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511941973.X，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种用于RTP工艺的晶圆状态监测方法、装置、设备及介质是由梁倩设计研发完成，并于2025-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于RTP工艺的晶圆状态监测方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于RTP工艺的晶圆状态监测方法、装置、设备及介质，其属于半导体制造技术领域，所述晶圆状态监测方法包括以下步骤：S1：获取晶圆处于工艺位置时的实时辐射率数据；S2：根据步骤S1中获取的实时辐射率数据计算得到辐射率变化率；S3：将步骤S2中获取的辐射率变化率与预设的第一阈值进行比较，得到晶圆状态，当所述晶圆状态为异常时，停止工艺发出警报。本发明通过获取辐射率计算辐射率变化率，通过辐射率变化率和第一阈值对晶圆状态进行监测，通过辐射率变化率捕捉到轻微跳片引起的瞬时信号突变，在翘曲发生初期即进行干预报警，防止事故扩大，从而提高晶圆质量。

本发明授权一种用于RTP工艺的晶圆状态监测方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种用于RTP工艺的晶圆状态监测方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：获取晶圆处于工艺位置时的实时辐射率数据； S2：根据步骤S1中获取的实时辐射率数据计算得到辐射率变化率； S3：将步骤S2中获取的辐射率变化率与预设的第一阈值进行比较，得到晶圆状态，当所述晶圆状态为异常时，停止工艺发出警报； 步骤S3具体包括以下步骤： S31：获取预设的第一阈值；其具体包括以下步骤： S31C：获取初始时段内的辐射率变化率； S32C：根据所述初始时段内的辐射率变化率计算的辐射率变化率均值和辐射率变化率标准差； S33C：根据预设的动态阈值系数、所述辐射率变化率均值和所述辐射率变化率标准差计算得到初始阈值； S32：将所述辐射率变化率与所述第一阈值进行比较，当辐射率变化率大于等于第一阈值时，晶圆状态为异常，当辐射率变化率小于第一阈值时，晶圆状态为正常； S33：当所述晶圆状态为异常时，生成控制指令停止当前工艺，并发出警报； S34：获取后续时段的辐射率变化率采用滑动窗口算法对所述初始阈值进行实时更新，得到预设的第一阈值。

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