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龙图腾网获悉深圳市华芯半导体装备技术有限公司申请的专利应用于等离子刻蚀机的异常监控系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121394278B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511947178.1，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权应用于等离子刻蚀机的异常监控系统是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本应用于等离子刻蚀机的异常监控系统在说明书摘要公布了：本申请实施例公开一种应用于等离子刻蚀机的异常监控系统。异常监控系统包括恒流源设备、线圈、线圈检测电路及控制器，恒流源设备被配置为按照预设的刻蚀工艺参数，输出驱动电流；线圈被配置响应于驱动电流的输入，在刻蚀腔内产生磁场以引导等离子体朝向基片的方向运动以刻蚀基片；线圈检测电路被配置为检测线圈的线圈状态数据；控制器被配置为基于线圈状态数据生成设备检修信息。本申请实施例通过线圈状态数据监控线圈的工作状态，并通过设备检修信息将线圈的实际情况予以体现，以便用户快速获知线圈是否处于异常状态，帮助用户快速定位检修方向，避免用户将线圈从刻蚀腔拆卸和检修，却没有发现线圈出现异常所浪费的各种资源投入。

本发明授权应用于等离子刻蚀机的异常监控系统在权利要求书中公布了：1.一种应用于等离子刻蚀机的异常监控系统，所述等离子刻蚀机包括气体输出模块、刻蚀腔及静电卡盘，所述静电卡盘设置在所述刻蚀腔的底部，被配置为夹持基片，其特征在于，所述异常监控系统包括： 恒流源设备，被配置为按照预设的刻蚀工艺参数，输出驱动电流； 线圈，与所述恒流源设备电连接，被配置为响应于所述驱动电流的输入，在所述刻蚀腔内产生磁场以引导所述刻蚀腔内部的等离子体朝向基片的方向运动以刻蚀所述基片； 线圈检测电路，电连接在所述恒流源设备与所述线圈的电流回路之间，被配置为检测所述线圈的线圈状态数据； 控制器，分别与所述恒流源设备和所述线圈检测电路电连接，被配置为基于所述线圈状态数据生成设备检修信息； 磁场检测模组，被配置为采集不同位置的等离子体产生的发射光以获得光谱数据，所述基于所述线圈状态数据生成设备检修信息，包括：基于所述线圈状态数据确定所述线圈的线圈电阻，基于所述光谱数据生成磁场强度分布图，基于所述线圈电阻与所述磁场强度分布图确定目标异常类型，基于所述目标异常类型生成设备检修信息，所述磁场检测模组包括光谱仪，所述刻蚀腔的顶部或底部设有多个透明窗口，所述光谱仪的光学探测头邻近所述透明窗口设置，用于采集不同位置的等离子体产生的发射光以获得光谱数据； 所述基于所述线圈电阻与所述磁场强度分布图确定目标异常类型，包括：响应于所述磁场强度分布图出现异常，且所述线圈电阻在正常电阻区间内，确定所述目标异常类型为电源异常类型，响应于所述磁场强度分布图出现异常，且所述线圈电阻不在正常电阻区间内，确定所述目标异常类型为线圈异常类型； 所述目标异常类型包括线圈异常类型或电源异常类型，所述设备检修信息包括线圈检修信息或电源检修信息，所述基于所述目标异常类型生成设备检修信息，包括：响应于所述目标异常类型为线圈异常类型，生成线圈检修信息；响应于所述目标异常类型为电源异常类型，生成电源检修信息。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市华芯半导体装备技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区科发路3号中电创新大厦A座2001；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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