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龙图腾网获悉长春长光圆辰微电子技术有限公司申请的专利一种用于减少等离子体损伤的低功率刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511958257.2，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权一种用于减少等离子体损伤的低功率刻蚀方法是由李彦庆;孙萱;高洋;于乐设计研发完成，并于2025-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于减少等离子体损伤的低功率刻蚀方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体刻蚀技术领域，本申请提供一种用于减少等离子体损伤的低功率刻蚀方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀基板于等离子体处理装置的腔室内，所述待刻蚀基板表面至少包含待刻蚀层和掩模层；向所述腔室内通入工艺气体；施加脉冲化的源功率以在所述腔室内产生等离子体，所述脉冲化的源功率包括交替的开启时段和关闭时段；在所述开启时段，向所述基板施加偏置功率；建立刻蚀模型并采用遗传算法获得最佳刻蚀参数组合；利用所述等离子体对所述待刻蚀层进行刻蚀。本申请通过采用脉冲化源功率和遗传算法优化刻蚀参数，达到减少等离子体损伤并提高刻蚀均匀性的效果。

本发明授权一种用于减少等离子体损伤的低功率刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种用于减少等离子体损伤的低功率刻蚀方法，其特征在于，包括： S1：提供待刻蚀基板于等离子体处理装置的腔室内，所述待刻蚀基板表面至少包含待刻蚀层和掩模层； S2：向所述腔室内通入工艺气体； S3：施加脉冲化的源功率以在所述腔室内产生等离子体，所述脉冲化的源功率包括交替的开启时段和关闭时段； S4：在所述开启时段，向所述基板施加偏置功率； S5：建立刻蚀模型并采用遗传算法获得最佳刻蚀参数组合； S6：利用所述等离子体对所述待刻蚀层进行刻蚀； 其中，所述S3中的开启时段和关闭时段的比率基于所述最佳刻蚀参数组合进行调整，以最小化等离子体损伤； 其中，所述S5包括： S51：采集历史刻蚀工艺参数及对应的刻蚀结果数据； S52：基于所述刻蚀结果数据建立刻蚀模型，计算刻蚀能量密度； S53：对刻蚀能量密度进行参数优化操作； S54：采用遗传算法对优化后的参数进行计算，得出最佳刻蚀参数组合； 其中，所述S53中的对刻蚀能量密度进行参数优化操作，还包括： 对响应面模型进行方差验证，公式如下： 式中，为调整决定系数，为预测决定系数，为误差平方和，为总平方和，为误差自由度，为预测误差平方和； 其中，所述S53中的对刻蚀能量密度进行参数优化操作，还包括： 将源功率和偏置功率作为自变量，以刻蚀均匀性误差作为响应值建立响应面模型，公式如下： 式中，为常数项系数，为一次项系数，为二次项系数，为交叉项系数，为自变量数目，为第i个刻蚀工艺参数的标准化值，为第j个刻蚀工艺参数的标准化值。

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