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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种具有栅极自保护功能的P型栅氮化镓晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121442763B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610001134.8，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权一种具有栅极自保护功能的P型栅氮化镓晶体管是由王成财;刘欣佳;贺致远设计研发完成，并于2026-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有栅极自保护功能的P型栅氮化镓晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体晶体管的技术领域，涉及一种具有栅极自保护功能的P型栅氮化镓晶体管，自下而上依次设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、P型材料层以及介质层；势垒层上方设置有源极与漏极，源极与漏极分别位于P型材料层两侧；与介质层电连接的两端无源开关器件，两端无源开关器件包括自下而上依次设置的第一金属层、特殊介质层以及第二金属层；两端无源开关器件设置在介质层上方，并与介质层、P型材料层以及势垒层共同构成P型栅氮化镓晶体管的栅极；或者，栅极设置在介质层上方，第一金属层与源极电连接，第二金属层与栅极电连接。本发明实现了快速的栅极过压自保护，有效防止栅极结构因过压应力而发生不可逆的击穿或退化。

本发明授权一种具有栅极自保护功能的P型栅氮化镓晶体管在权利要求书中公布了：1.一种具有栅极自保护功能的P型栅氮化镓晶体管，其特征在于，包括： 自下而上依次设置的衬底1、缓冲层2、沟道层3、势垒层4、P型材料层5以及介质层6；所述势垒层4上方设置有源极10与漏极11，所述源极10与所述漏极11分别位于所述P型材料层5两侧； 还包括两端无源开关器件，所述两端无源开关器件包括自下而上依次设置的第一金属层7、特殊介质层8以及第二金属层9，当施加在所述第一金属层7与第二金属层9之间的电压未达到开启电压时，所述两端无源开关器件保持高阻态；当施加在所述第一金属层7与第二金属层9之间的电压达到开启电压时，所述特殊介质层8的电导率发生非线性陡增，所述两端无源开关器件转为低阻态； 所述两端无源开关器件设置在所述介质层6上方，并与所述介质层6、P型材料层5以及势垒层4共同构成所述P型栅氮化镓晶体管的栅极12；或者，所述栅极12设置在所述介质层6上方，所述第一金属层7与所述源极10电连接，所述第二金属层9与所述栅极12电连接；所述特殊介质层8通过载流子输运机制突变实现电导率的非线性陡增，所述载流子输运机制突变表现为载流子从局域的跳跃输运突变为全局的扩展输运；所述载流子输运机制突变为由隧穿纯电子激发效应引发的电子激发突变或由局部结构变化或亚稳态晶状细丝形成导致的热致结构突变；所述两端无源开关器件的开启电压高于所述P型栅氮化镓晶体管的阈值电压、低于所述栅极12的最大击穿电压。

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