中国人民解放军国防科技大学胡凯佳获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种矫正陶瓷片翘曲的镀膜工装及电极制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121451122B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610003670.1，技术领域涉及：C23C14/24；该发明授权一种矫正陶瓷片翘曲的镀膜工装及电极制备方法是由胡凯佳;倪子淇;叶益聪;白书欣;陈兴宇设计研发完成，并于2026-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种矫正陶瓷片翘曲的镀膜工装及电极制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于镀膜设备领域，具体涉及到一种矫正陶瓷片翘曲的镀膜工装及电极制备方法。其中矫正陶瓷片翘曲的镀膜工装包括磁铁安装盘、第一托盘、第二托盘和掩膜板转移板；所述磁铁安装盘能够选择性地放置于所述第一托盘或第二托盘的背面，以将掩模版吸附于基础容纳部或安装孔内的镀膜基片上，或放置于覆盖在第一托盘或第二托盘正面的所述掩膜板转移板的背面，以将所述掩模版从所述镀膜基片上批量吸附移除；所述第一托盘与第二托盘能够通过所述凸台与外围台阶部的嵌合与分离，实现所述镀膜基片的批量翻面。本发明集磁力吸附、掩模版非接触式转移与双托盘精密翻转的协同操作，实现了易碎镀膜基片双面图案化镀膜的高效、无损、批量化制备。
本发明授权一种矫正陶瓷片翘曲的镀膜工装及电极制备方法在权利要求书中公布了：1.一种矫正陶瓷片翘曲的镀膜工装，其特征是，包括： 磁铁安装盘3、第一托盘1、第二托盘2和掩膜板转移板4； 所述第一托盘1设有阶梯沉孔11，其包括用于承托镀膜基片5的基础容纳部111及外围台阶部112，且基础容纳部111的深度大于镀膜基片5厚度； 所述第二托盘2设有与阶梯沉孔11相对应的凸台21，凸台21形状与外围台阶部112相适配，其顶面设有安装孔211，该安装孔211形状与基础容纳部111相适配且深度大于镀膜基片5厚度； 所述掩膜板转移板4能覆盖于第一托盘1或第二托盘2的正面； 所述磁铁安装盘3能放置于第一托盘1或第二托盘2背面，以将具有磁性的掩模版6吸附于镀膜基片5上，或放置于掩膜板转移板4背面，以将掩模版6批量吸附移除； 所述第一托盘1与第二托盘2通过凸台21与外围台阶部112的嵌合与分离，实现镀膜基片5的批量翻面。
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