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龙图腾网获悉福建福碳新材料科技有限公司;山东理工大学;中钢天源股份有限公司申请的专利一种三代半导体长晶用等静压石墨坩埚生产原料的煅烧设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121452820B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512018571.9，技术领域涉及：F27B14/00；该发明授权一种三代半导体长晶用等静压石墨坩埚生产原料的煅烧设备是由吕鹏;吕尊华;汪伟;冯奕钰设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三代半导体长晶用等静压石墨坩埚生产原料的煅烧设备在说明书摘要公布了：本发明涉及煅烧设备技术领域，具体地说，涉及一种三代半导体长晶用等静压石墨坩埚生产原料的煅烧设备，其包括煅烧筒，所述煅烧筒下端设有加热组件，所述加热组件包括活动安装在煅烧筒底端的支撑环，所述支撑环内壁设有用于引导气流的若干个扇叶，若干个所述扇叶中间固定连接有内筒，所述内筒外壁呈对称均匀分布固定连接有两个内环板，两个所述内环板之间固定连接有加热管。通过旋转带动内筒内壁的螺旋叶板对原料进行搅拌加工，使其内部的温度能够均匀分布，且在旋转过程中，处于内筒与支撑环之间的扇叶跟随旋转，来引导气流进入内筒中间的支撑筒，从而能够以中心风冷降温配合搅拌操作，快速对石墨坩埚原料进行降温处理。

本发明授权一种三代半导体长晶用等静压石墨坩埚生产原料的煅烧设备在权利要求书中公布了：1.一种三代半导体长晶用等静压石墨坩埚生产原料的煅烧设备，其包括煅烧筒1，所述煅烧筒1下端设有加热组件2，其特征在于：所述加热组件2包括活动安装在煅烧筒1底端的支撑环204，所述支撑环204内壁设有用于引导气流的若干个扇叶205，若干个所述扇叶205中间固定连接有内筒209，所述内筒209外壁呈对称均匀分布固定连接有两个内环板206，两个所述内环板206之间固定连接有加热管208，所述内筒209内壁呈圆周均匀分布设有若干个用于搅拌原料的螺旋叶板207，且各螺旋叶板207的尾端相对于所述内筒209的轴线倾斜设置，若干个所述螺旋叶板207底端活动连接有用于集中气流的敞口环板215，所述敞口环板215上方设有导流组件5，所述导流组件5包括固定安装在敞口环板215上方的支撑筒504，所述支撑筒504上方固定连接有内锥环筒502，所述内锥环筒502中部内凹处设有定位环501，所述定位环501外壁呈圆周均匀分布固定连接有若干个弧形管道505。

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