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龙图腾网获悉重庆联晶通半导体科技有限公司申请的专利一种GaN器件热点定位与结温定量测量方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121454275B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610007752.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种GaN器件热点定位与结温定量测量方法和系统是由蔡明达设计研发完成，并于2026-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN器件热点定位与结温定量测量方法和系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件测试领域，具体是一种GaN器件热点定位与结温定量测量方法和系统。所述方法包括：获取工作状态下目标GaN器件表面的红外热像数据与拉曼光谱数据；基于拉曼光谱数据，计算获得微区拉曼温度数据；基于微区拉曼温度数据对红外热像数据进行超分辨增强处理，生成高分辨率融合温度场；根据所述高分辨率融合温度场，定位所述目标GaN器件的表面热点位置；基于所述高分辨率融合温度场通过反演计算所述表面热点位置对应的沟道结温。解决了现有技术中GaN器件结温测量不够准确的问题。本发明通过GaN器件红外热像与拉曼数据，计算微区拉曼温度、增强红外生成高分辨率融合温度场并反演沟道结温，提高了结温测量准确性。

本发明授权一种GaN器件热点定位与结温定量测量方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种GaN器件热点定位与结温定量测量方法，其特征在于，所述方法包括： 获取工作状态下目标GaN器件表面的红外热像数据与拉曼光谱数据； 基于所述拉曼光谱数据，计算获得微区拉曼温度数据； 基于所述微区拉曼温度数据对所述红外热像数据进行超分辨增强处理，生成高分辨率融合温度场，包括： 对所述微区拉曼温度数据进行空间插值，生成第一温度分布曲面； 对所述第一温度分布曲面进行低通滤波得到模糊参考场； 计算所述模糊参考场与所述红外热像数据的差值形成模糊误差场； 基于所述模糊误差场对所述红外热像数据进行超分辨增强处理，生成高分辨率融合温度场； 根据所述高分辨率融合温度场，定位所述目标GaN器件的表面热点位置； 基于所述高分辨率融合温度场通过反演计算所述表面热点位置对应的沟道结温，包括： 构建所述目标GaN器件的三维热传导模型； 将所述目标GaN器件的热源强度空间分布、各层材料的热导率和各层间界面热阻设置为待反演参数； 基于所述高分辨率融合温度场和所述三维热传导模型通过迭代对所述待反演参数进行优化得到最优反演参数，包括： 为所述待反演参数设置参数范围，并根据所述参数范围确定初始值； 基于所述初始值运行所述三维热传导模型得到初始三维温度场； 以所述高分辨率融合温度场和所述初始三维温度场的差值最小为优化目标计算预先构建的目标函数； 基于所述目标函数利用遗传算法对所述待反演参数进行迭代优化得到最优反演参数； 基于所述最优反演参数运行所述三维热传导模型，得到三维温度场； 从所述三维温度场中提取与所述表面热点位置对应的沟道区域的温度平均值得到沟道结温。

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