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龙图腾网获悉江西兆驰集成科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种低工作电流密度蓝光Micro-LED外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121463606B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610013280.2，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种低工作电流密度蓝光Micro-LED外延结构及其制备方法是由舒俊;敖应权;高虹;郑文杰;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2026-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低工作电流密度蓝光Micro-LED外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低工作电流密度蓝光Micro‑LED外延结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。外延结构的多量子阱发光层包括沿外延方向依次层叠的紫光多量子阱层、浅蓝光多量子阱层、蓝光多量子阱层和紫光末量子阱层；紫光多量子阱层、浅蓝光多量子阱层、蓝光多量子阱层和紫光末量子阱层均包括沿外延方向依次周期性交替生长的N极性阱前渐变InGaN层、N极性InGaN量子阱层、N极性阱后渐变AlGaN层、Ga极性GaN量子垒层；N极性阱前渐变InGaN层为沿外延方向In组分含量递增的N极性InGaN材料。本发明可以显著提高Micro‑LED芯片在低工作电流密度下的光效。

本发明授权一种低工作电流密度蓝光Micro-LED外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低工作电流密度蓝光Micro-LED外延结构，包括衬底，其特征在于，还包括在所述衬底上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层，且在所述多量子阱发光层之上不设置电子阻挡层； 所述多量子阱发光层包括沿外延方向依次层叠的紫光多量子阱层、浅蓝光多量子阱层、蓝光多量子阱层和紫光末量子阱层； 所述紫光多量子阱层、所述浅蓝光多量子阱层、所述蓝光多量子阱层和所述紫光末量子阱层均包括沿外延方向依次周期性交替生长的N极性阱前渐变InGaN层、N极性InGaN量子阱层、N极性阱后渐变AlGaN层、Ga极性GaN量子垒层； 所述蓝光多量子阱层的In组分含量大于所述浅蓝光多量子阱层的In组分含量，且所述紫光多量子阱层和所述紫光末量子阱层的In组分含量均小于所述浅蓝光多量子阱层的In组分含量； 所述N极性阱前渐变InGaN层为沿外延方向In组分含量递增的N极性InGaN材料，所述N极性阱后渐变AlGaN层为沿外延方向Al组分含量递减的N极性AlGaN材料； 所述紫光末量子阱层中所述N极性阱后渐变AlGaN层的Al组分含量≤所述蓝光多量子阱层中所述N极性阱后渐变AlGaN层的Al组分含量≤所述浅蓝光多量子阱层中所述N极性阱后渐变AlGaN层的Al组分含量≤所述紫光多量子阱层中所述N极性阱后渐变AlGaN层的Al组分含量。

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