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龙图腾网获悉清华大学申请的专利一种二维材料场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121487295B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610032647.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种二维材料场效应晶体管及其制备方法是由田禾;刘安晗;王子明设计研发完成，并于2026-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维材料场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及场效应晶体管器件技术领域，公开了一种二维材料场效应晶体管及其制备方法。该二维材料场效应晶体管包括层叠布置的衬底绝缘层、栅极层、栅极接触电极、垂直电场屏蔽结构、第二绝缘层及导电沟道薄膜。导电沟道薄膜远离第二绝缘层的一侧形成有第二台阶及第三台阶；第二台阶与第三台阶沿层叠方向布置。在第二台阶面通过斜角沉积形成第一接触电极，在第三台阶面通过斜角沉积形成第二接触电极；第一接触电极朝向第三台阶的一侧面与第二台阶面朝向第三台阶的一端对齐。通过采用斜角沉积方式沉积第一接触电极及第二接触电极，降低了现有的场效应晶体管开发过程中对于光刻设备和套刻工艺精度的依赖，实现沟道长度与栅极长度的同步微缩。

本发明授权一种二维材料场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维材料场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底绝缘层200，所述衬底绝缘层200的一侧面形成第一台阶，所述第一台阶由第一凸起部与第一凹陷部拼接形成； 栅极层300，铺设于所述第一凸起部的一侧，所述栅极层300的厚度S小于1纳米； 栅极接触电极400，铺设于所述栅极层300远离所述第一凸起部的一侧； 垂直电场屏蔽结构500，铺设于所述栅极接触电极400远离所述栅极层300的一侧，还铺设于所述栅极层300远离所述第一凸起部的一侧； 第二绝缘层600，铺设于所述垂直电场屏蔽结构500远离所述栅极接触电极400的一侧，还铺设于所述第一凹陷部； 导电沟道薄膜700，铺设于所述第二绝缘层600远离所述垂直电场屏蔽结构500的一侧；所述导电沟道薄膜700远离所述第二绝缘层600的一侧形成有第二台阶及第三台阶；所述第二台阶与所述第三台阶沿层叠方向布置； 第一接触电极800，通过斜角沉积形成于所述第二台阶的第二台阶面701； 第二接触电极900，通过斜角沉积形成于所述第三台阶的第三台阶面702； 其中，所述第一接触电极800朝向所述第三台阶的一侧面与所述第二台阶面701朝向所述第三台阶的一端对齐，所述第一接触电极800与所述第二接触电极900之间的水平间距L1为0纳米至200纳米。

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