希烽光电科技(南京)有限公司;NANO科技(北京)有限公司吴冀亮获国家专利权
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龙图腾网获悉希烽光电科技(南京)有限公司;NANO科技(北京)有限公司申请的专利接受速率可调的雪崩光电探测器结构及其雪崩光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121487359B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610007315.1，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权接受速率可调的雪崩光电探测器结构及其雪崩光电探测器是由吴冀亮;祁帆;蔡鹏飞设计研发完成，并于2026-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本接受速率可调的雪崩光电探测器结构及其雪崩光电探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种接受速率可调的雪崩光电探测器结构及其雪崩光电探测器，包括APD，该APD由正电极层、吸收层、增益层、衬底层和负电极层构成，增益层包括电荷控制区和一个雪崩倍增区，负电极层只包括一个负电极；还包括多个倍增控制区、增加的至少一个雪崩倍增区和与之对应增加的负电极，倍增控制区和增加的雪崩倍增区均位于增益层内，雪崩倍增区相互独立设置，负电极相互独立设置，倍增控制区、雪崩倍增区和负电极一一对应设置；倍增控制区和电荷控制区单独或者共同作用，实现两个及以上的雪崩倍增区调控。优点，本发明的APD增益可大范围调节，实现低带宽高增益和高带宽低增益的两个挡位调节，可用于接收不同速率光信号。
本发明授权接受速率可调的雪崩光电探测器结构及其雪崩光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种接受速率可调的雪崩光电探测器结构，包括APD，该APD由正电极层40、吸收层30、增益层20、衬底层10和负电极层70构成，增益层20包括电荷控制区204和一个雪崩倍增区20-1，负电极层70只包括一个负电极70-1；其特征在于，还包括多个倍增控制区20-2、增加的至少一个雪崩倍增区20-1和与之对应增加的负电极70-1，倍增控制区20-2和增加的雪崩倍增区20-1均位于增益层20内，雪崩倍增区20-1相互独立设置，负电极70-1相互独立设置，倍增控制区20-2、雪崩倍增区20-1和负电极70-1一一对应设置；倍增控制区20-2和电荷控制区204单独或者共同作用，实现两个及以上的雪崩倍增区20-1调控。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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