长飞光纤光缆股份有限公司方勇获国家专利权
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龙图腾网获悉长飞光纤光缆股份有限公司申请的专利一种光纤光栅变压器漏磁检测传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121500195B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610037839.5，技术领域涉及：G01R33/032；该发明授权一种光纤光栅变压器漏磁检测传感器及其制备方法是由方勇;邓巍;王韬;吕小彤;杭常东;王锐;胡万祯;李立彤设计研发完成，并于2026-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光纤光栅变压器漏磁检测传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种光纤光栅变压器漏磁检测传感器及其制备方法，传感器包括：外壳、封装结构和光纤传感单元；光纤传感单元采用封装结构进行封装后置于外壳内；光纤传感单元包括串联的第一光纤光栅和第二光纤光栅，第一光纤光栅用于漏磁检测，第二光纤光栅用于温度补偿；第一光纤光栅表面镀有Terfenol‑DAl2O3FeGa异质结磁敏层，异质结表面设有Ni纳米柱阵列，且Ni纳米柱阵列覆盖整个异质结表面。本申请通过解耦+增敏的传感核心与防腐+绝缘+缓冲的防护封装相结合的方案，成功研制出一种兼具高精度、高灵敏度、高可靠性及强环境适应性的光纤光栅变压器漏磁检测传感器，全面解决了温磁交叉干扰、灵敏度低及环境适应性差等技术难题。
本发明授权一种光纤光栅变压器漏磁检测传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光纤光栅变压器漏磁检测传感器，其特征在于，包括：外壳、封装结构和光纤传感单元；所述光纤传感单元采用封装结构进行封装后置于外壳内；所述封装结构为三层复合封装结构； 所述光纤传感单元包括串联的第一光纤光栅和第二光纤光栅，所述第一光纤光栅用于漏磁检测，所述第二光纤光栅用于温度补偿；所述第一光纤光栅表面镀有Terfenol-DAl2O3FeGa异质结磁敏层，异质结表面设有Ni纳米柱阵列，且所述Ni纳米柱阵列覆盖整个异质结表面；所述异质结磁敏层的底层为Terfenol-D磁致伸缩层，所述异质结磁敏层的过渡层为Al2O3层，所述异质结磁敏层的顶层为FeGa抗振层。
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