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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种立体环绕栅结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121531741B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610050853.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种立体环绕栅结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法是由马宏平;白照鹏设计研发完成，并于2026-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种立体环绕栅结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种立体环绕栅结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：在碳化硅衬底上生长碳化硅外延，注入形成P‑well区；在P‑well区上形成第一阻挡层，注入形成P+区；去除第一阻挡层，形成环绕栅沟槽阵列的第二阻挡层，进行注入形成N+区；去除第二阻挡层，对P‑well区、P+区和N+区同时进行快速热退火；形成第三阻挡层，进行刻蚀形成栅极沟槽区；去除第三阻挡层，进行干氧热氧化，形成栅极氧化层；使用化学气相沉积，形成多晶硅；对多晶硅进行掺杂后，进行刻蚀形成栅极；沉积金属形成漏极和源极，并对漏极和源极进行快速热退火形成欧姆接触。构建阵列式分布的栅极，减小导通电阻。

本发明授权一种立体环绕栅结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种立体环绕栅结构的碳化硅沟槽MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括： 在碳化硅衬底101上外延生长碳化硅外延102，对所述碳化硅外延102进行多次进行铝离子注入或者铝离子与硼离子共同注入形成P-well区103； 在所述P-well区103上形成第一阻挡层21，进行多次铝离子注入或者铝离子与硼离子共同注入形成P+区104； 去除所述第一阻挡层21，形成环绕栅沟槽阵列的第二阻挡层22，进行多次氮离子注入形成N+区105；其中，第二阻挡层22包括边部和中间部，边部在P+区104上方，中间部设置在P-well区103中央，在纵向呈阵列式分布； 去除所述第二阻挡层22，对所述P-well区103、所述P+区104和所述N+区105同时进行快速热退火； 形成第三阻挡层23，进行刻蚀形成栅极沟槽区106； 去除第三阻挡层23，进行RCA清洗，清洗后在炉管中干氧热氧化，去除所述P+区104和所述N+区105上方的氧化层，在所述栅极沟槽区106形成栅极氧化层107； 对所述栅极氧化层107使用化学气相沉积进行多步沉积，形成多晶硅；对多晶硅进行掺杂后，进行刻蚀形成阵列式分布的栅极108； 在所述碳化硅衬底101的背面沉积金属形成漏极109，在所述P+区104和部分所述N+区105上方沉积金属形成源极110，并对所述漏极109和所述源极110进行快速热退火形成欧姆接触，制备得到立体环绕栅结构的碳化硅沟槽MOSFET器件； 其中，所述第二阻挡层22的中间部为横向宽度为1.4µm，纵向宽度为1.0µm的矩形，间隔为0.4µm。

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