广东芯粤能半导体有限公司朱普磊获国家专利权
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龙图腾网获悉广东芯粤能半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121568412B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610101912.0，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体结构及其制备方法是由朱普磊;杨文敏;胥翥;邹耀辉;王甫设计研发完成，并于2026-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：有源区；终端区，周向环绕有源区；终端区的衬底内包括扩展结，衬底上包括局部场氧化层、多晶硅场板；多晶硅场板位于局部场氧化层，以及靠近有源区一侧衬底的部分顶面上；金属层，包括位于有源区上的源极金属，及与源极金属电位相同，沿周向间隔排列于终端区上的导电插塞；金属层和多晶硅场板、有源区及局部场氧化层之间包括介质层；其中，有源区的衬底内包括沿朝向终端区方向延伸至与扩展结相接触的第一导电类型的阱区；导电插塞沿朝向衬底的方向延伸至与阱区相接触。在不影响Gate场板的功能，有源区特性以及可靠性的基础上提高器件UIS能力。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 有源区； 终端区，周向环绕所述有源区；所述终端区的衬底内包括扩展结，衬底上包括局部场氧化层、多晶硅场板；所述多晶硅场板位于所述局部场氧化层，以及靠近所述有源区一侧衬底的部分顶面上； 金属层，包括位于所述有源区上的源极金属，及与所述源极金属电位相同，沿周向间隔排列于所述终端区上的导电插塞；所述金属层和所述多晶硅场板、所述有源区及所述局部场氧化层之间包括介质层； 其中，所述有源区的衬底内包括沿朝向所述终端区方向延伸至与所述扩展结相接触的第一导电类型的阱区；所述导电插塞沿朝向所述衬底的方向延伸至与所述阱区相接触。
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