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龙图腾网获悉全磊光电股份有限公司申请的专利一种垂直腔面发射激光器及其外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121584391B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610099033.9，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种垂直腔面发射激光器及其外延生长方法是由单智发;张永;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2026-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直腔面发射激光器及其外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种垂直腔面发射激光器及其外延生长方法，属于半导体技术领域。本发明垂直腔面发射激光器包括依次层叠设置的衬底、N‑DBR、有源区生长、氧化限制层、隧穿结、P‑DBR和表面欧姆接触层，所述隧穿结包括依次层叠设置的p++层、第一扩散阻挡层、n++层和第二扩散阻挡层；所述p++层和n++层是由脉冲掺杂生长得到，对隧穿结进行阶梯式升温后进行P‑DBR的生长。本发明提出一种基于脉冲掺杂、原位保护层和阶梯升温控制的综合工艺，通过在隧穿结n++p++层生长时采用脉冲掺杂，结合第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层以及后续生长中的阶梯升温工艺，在维持隧穿结高导电性的同时显著抑制掺杂扩散。

本发明授权一种垂直腔面发射激光器及其外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、N型分布式布拉格反射层、有源区、氧化限制层、隧穿结、P型分布式布拉格反射层和表面欧姆接触层，所述隧穿结包括依次层叠设置的p++层、第一扩散阻挡层、n++层和第二扩散阻挡层，所述p++层设置在所述氧化限制层的垂直上方； 所述p++层和n++层是由脉冲掺杂生长得到的； 对所述隧穿结进行阶梯式升温后，进行所述P型分布式布拉格反射层的生长； 所述p++层为高浓度碳掺杂GaAs层，所述高浓度碳掺杂GaAs层中碳的掺杂浓度为5×1019~2×1020cm-3； 所述第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层的厚度独立地为1~3nm； 所述第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层的材质独立地为InyGa1-yAs和或GaAs1-xPx，y为0.03~0.1，x为0.05~0.15； 所述n++层为高浓度Te掺杂GaAs层，所述高浓度Te掺杂GaAs层中碳的掺杂浓度为1×1020~5×1020cm-3。

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