材料科学姑苏实验室郭丽彬获国家专利权
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龙图腾网获悉材料科学姑苏实验室申请的专利氧化镓外延片及其制备方法、日盲紫外光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121586397B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610114544.3，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权氧化镓外延片及其制备方法、日盲紫外光电探测器是由郭丽彬;周大勇;申德振设计研发完成，并于2026-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化镓外延片及其制备方法、日盲紫外光电探测器在说明书摘要公布了：本申请涉及一种氧化镓外延片及其制备方法、日盲紫外光电探测器，包括：提供生长衬底；持续通入铝源和氮源，交替通入和中断硅源，以交替生长硅掺杂的第一氮化铝层和非掺杂的第二氮化铝层，以在生长衬底上直接外延生长氮化铝缓冲层；其中，氮化铝缓冲层的厚度范围为20nm~100nm；在氮化铝缓冲层上直接外延生长氧化镓层。由此，可以在减小生长衬底与氧化镓层之间的晶格失配的同时，实现可控的应力调制，提高了氧化镓层的晶体质量。
本发明授权氧化镓外延片及其制备方法、日盲紫外光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供生长衬底； 持续通入铝源和氮源，交替通入和中断硅源，以交替生长硅掺杂的第一氮化铝层和非掺杂的第二氮化铝层，以在所述生长衬底上直接外延生长氮化铝缓冲层；其中，所述氮化铝缓冲层的厚度范围为20nm~100nm； 在所述氮化铝缓冲层上直接外延生长氧化镓层。
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