中国科学院电工研究所;武汉大学黄邦斗获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院电工研究所;武汉大学申请的专利一种深紫外光刻机准分子光源放电电流嵌入式测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121595937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610116050.9，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权一种深紫外光刻机准分子光源放电电流嵌入式测量方法是由黄邦斗;章程;邵涛;王航设计研发完成，并于2026-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种深紫外光刻机准分子光源放电电流嵌入式测量方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种深紫外光刻机准分子光源放电电流嵌入式测量方法，属于测量技术领域。利用深紫外光刻机准分子光源中起高压绝缘、支撑导电杆作用的陶瓷环，在陶瓷环上加工交错排列的、有一定间距的两圈通孔，在孔中穿入带绝缘外皮导线形成电流线圈结构，电流由峰化电容经导电杆向电极放电、在阴极‑阳极间形成等离子体过程中，在电流线圈中感应出信号，导线两个抽头连接到同轴接头上，同轴线从上腔体通气口穿出、将电流线圈信号引出，通过衰减器、匹配负载由数据采集系统记录感应信号，在同轴线上穿过铁氧体磁芯抑制共模成分，对陶瓷环电流线圈结构进行标定，对感应信号进行处理获得放电电流。
本发明授权一种深紫外光刻机准分子光源放电电流嵌入式测量方法在权利要求书中公布了：1.一种深紫外光刻机准分子光源放电电流嵌入式测量方法，其特征在于，利用深紫外光刻机准分子光源中起高压绝缘、支撑导电杆作用的陶瓷环，在陶瓷环上加工交错排列的、有一定间距的若干圈通孔，在通孔中穿入带绝缘外皮导线形成电流线圈结构，电流由峰化电容经导电杆流向阴极，在阴极和阳极间形成等离子体过程中，在电流线圈中感应出信号，导线两个抽头连接到同轴接头上，同轴线从上腔体穿出，将电流线圈信号引出，通过衰减器、匹配负载由数据采集系统记录感应信号，在同轴线上穿过铁氧体磁芯抑制共模成分，对陶瓷环电流线圈结构进行标定，对感应信号进行处理获得放电电流。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院电工研究所;武汉大学，其通讯地址为：100190 北京市海淀区中关村北二条6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励