合肥沛顿存储科技有限公司段光雄获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥沛顿存储科技有限公司申请的专利一种垂直打线的存算一体扇出型封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121604845B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610105855.3,技术领域涉及:H10W70/60;该发明授权一种垂直打线的存算一体扇出型封装结构及其制备方法是由段光雄;刘鑫;黄文宁;曾凡强;任云坤;廖承宇设计研发完成,并于2026-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直打线的存算一体扇出型封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体封装技术领域,特别是涉及一种垂直打线的存算一体扇出型封装结构及其制备方法。本发明通过在扇出型封装结构中引入垂直打线与铜柱相结合的混合垂直互连方式,在不采用硅通孔或硅中介层的情况下,实现了计算芯片与存储芯片的高密度三维集成,有效缩短了信号传输路径;这种“下存上算”的三维堆叠布置方式,使存储芯片位于封装内部靠近重布线层和垂直互连结构的核心区域,存储芯片的大量IO信号可通过较短路径接入垂直互连网络,从而降低互连寄生参数并提高信号完整性;另外,这种布置方式还有利于将主要发热源远离存储芯片,改善封装内部的热分布,提高存算一体封装结构的可靠性和工艺可实现性。
本发明授权一种垂直打线的存算一体扇出型封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种垂直打线的存算一体扇出型封装结构,其特征在于,包括: 封装本体,所述封装本体的内部从上至下依次设有第一重布线层和第二重布线层; 设置于第一重布线层和第二重布线层之间的多个铜柱; 设置于第一重布线层下方的第一芯片,第一芯片的焊盘与第一重布线层电连接; 以堆叠方式设置于第一芯片下方的多个第二芯片,第二芯片与第二芯片之间、第二芯片个第一芯片之间通过粘结膜进行固定; 设置于第二芯片焊盘处的多根垂直导线,其一端与第二芯片的焊盘连接,另一端向下延伸至与第二重布线层连接; 设置于第一重布线层和第二重布线层之间的塑封层Ⅰ,所述塑封层Ⅰ包覆所述第一芯片、第二芯片、铜柱及垂直导线; 设置于第二重布线层底部的焊球; 设置于所述第一重布线层上方的第三芯片,所述第三芯片与第一重布线层电连接; 设置于第一重布线层上方的塑封层Ⅱ,所述塑封层Ⅱ包覆所述第三芯片; 其中,所述第一芯片和第三芯片为计算芯片,所述第二芯片为存储芯片。
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