王晓靁获国家专利权
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龙图腾网获悉王晓靁申请的专利一种在同一芯片上制成RGB InGaN基micro LED的外延结构及其制作的组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224098080U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520870965.X，技术领域涉及：H10H29/14；该实用新型一种在同一芯片上制成RGB InGaN基micro LED的外延结构及其制作的组件是由王晓靁;施能泰;宋高梅设计研发完成，并于2025-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在同一芯片上制成RGB InGaN基micro LED的外延结构及其制作的组件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种在同一芯片上制成RGBInGaN基microLED的外延结构，包括：一平坦基板；在基板表面具有一二维材料层；在二维材料层表面具有范德华外延的InxAlyGa1‑x‑yN缓冲层；在缓冲层表面具有RGBInGaNLED堆栈外延结构，此RGBInGaNLED堆栈外延结构由下而上依次包括具有InGaN多重量子井发光层的蓝光、绿光和红光发光二极管外延结构。此堆栈外延结构可以无需巨量转移工序制成分布于同一芯片或基板上多数并独立分布的蓝绿红InGaNmicroLED组件，针对发光组件导入备援修补设计，大幅降低后续修复工序的复杂度及成本，并有效地提升良品率，且于同一芯片或基板上配置控制组件构成microLED显示或通讯器件。
本实用新型一种在同一芯片上制成RGB InGaN基micro LED的外延结构及其制作的组件在权利要求书中公布了：1.一种在同一芯片上制成RGBInGaN基microLED的外延结构，其特征在于包括： 一平坦基板； 在基板表面具有一二维材料层； 在二维材料层表面具有范德华外延的InxAlyGa1-x-yN缓冲层，x＝0-1，y＝0-1； 在缓冲层表面具有RGBInGaNLED堆栈外延结构，此RGBInGaNLED堆栈外延结构由下而上依次包括： 一具有InGaN多重量子井发光层的蓝光发光二极管外延结构； 一具有InGaN多重量子井发光层的绿光发光二极管外延结构； 一具有InGaN多重量子井发光层的红光发光二极管外延结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人王晓靁，其通讯地址为：中国台湾桃园市芦竹区吉林路132巷28号14楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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