捷捷半导体有限公司李成军获国家专利权
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龙图腾网获悉捷捷半导体有限公司申请的专利一种IGBT器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224098155U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520670412.X，技术领域涉及：H10W70/20；该实用新型一种IGBT器件是由李成军;黎重林;倪亮亮;施文;徐玉河;施健设计研发完成，并于2025-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种IGBT器件在说明书摘要公布了：一种IGBT器件，涉及半导体功率器件技术领域。该IGBT器件包括金属底板、外连接件和设置在金属底板上的IGBT芯片，IGBT芯片的电极表面设置有金属电极片；还包括金属连接桥，所述金属连接桥具有相连接的第一连接端和第二连接端，第一连接端与金属电极片连接、第二连接端与金属底板连接；外连接件的端部与金属底板连接。上述IGBT器件能够提高器件的通流能力及散热性，提高器件的使用可靠性。
本实用新型一种IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件，其特征在于，包括金属底板、外连接件和设置在所述金属底板上的IGBT芯片，所述IGBT芯片的电极表面设置有金属电极片；还包括金属连接桥，所述金属连接桥具有相连接的第一连接端和第二连接端，所述第一连接端与所述金属电极片连接、所述第二连接端与所述金属底板连接；所述外连接件的端部与所述金属底板连接。
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