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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834458B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010258547.7，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件是由洪承秀;李正允;成金重;李镇远;郑铉澔设计研发完成，并于2020-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的多个有源区；位于所述多个有源区之间的器件隔离层，使得所述多个有源区的上部从所述器件隔离层突出；在所述衬底上分别在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并且与所述多个有源区相交的第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极在所述第二方向上与所述第二栅电极间隔开；位于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的第一栅极分隔层；以及在所述第一栅极分隔层下方并且位于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的第二栅极分隔层，所述第二栅极分隔层在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上延伸到所述器件隔离层中。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 多个有源区，所述多个有源区在衬底上沿第一方向延伸； 器件隔离层，所述器件隔离层位于所述多个有源区之间，使得所述多个有源区的上部从所述器件隔离层突出； 第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极和所述第二栅电极在所述衬底上分别在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并且与所述多个有源区相交，所述第一栅电极在所述第二方向上与所述第二栅电极间隔开； 第一栅极分隔层，所述第一栅极分隔层位于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间； 第二栅极分隔层，所述第二栅极分隔层在所述第一栅极分隔层下方并且位于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间，所述第二栅极分隔层在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上延伸到所述器件隔离层中；以及 虚设有源区，所述虚设有源区沿所述第一方向延伸并且位于所述第二栅极分隔层下方， 其中： 所述第二栅极分隔层在所述第三方向上位于所述第一栅极分隔层和所述虚设有源区之间，并且 取决于宽度差异的弯曲部分位于所述第一栅极分隔层和所述第二栅极分隔层之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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