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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种自钳位分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425067B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211168953.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种自钳位分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法是由张金平;黄云翔;李小锋;张波设计研发完成，并于2022-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自钳位分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种自钳位分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。本发明通过在分裂多晶硅栅11与浮空P区12之间串联一个二极管，二极管阴极与分裂多晶硅栅11连接，二极管阳极与浮空P区12连接，分裂栅11与发射极金属1之间串联一个电容，浮空P区12通过有源区钳位在IGBT关断时获得了一个较高的电位，该电位使得二极管开启，从而对电容进行充电，使得电容获得一个稳定的电位。而分裂栅11与电容相连，使故分裂栅也具有一个稳定的电位，该电位吸引分裂栅附近的电子积累形成电子积累层，该积累层提高了沟道的注入效率，进一步提升了漂移区电导调制效应，降低了器件的正向导通压降。

本发明授权一种自钳位分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种自钳位分裂绝缘栅双极型晶体管，包括从下至上依次层叠设置的集电极金属10、P型集电区9、N型电场阻止层8、N-漂移区7和有源区；所述有源区包括位于N-漂移区7上表面两端的P型基区4和P区20、位于P型基区4和P区20之间的沟槽栅极结构、浮空P区12、沟槽发射极结构，其中浮空P区12位于沟槽栅极结构和沟槽发射极结构之间，沟槽栅极结构与P型基区4接触，沟槽发射极结构与P区20接触，同时沟槽栅极结构、浮空P区12和沟槽发射极结构的下表面结深并大于P型基区4和P区20的下表面结深； 所述P型基区4的上表面并列设置有P+发射区2和N+发射区3，其中N+发射区3位于靠近沟槽栅极结构一侧，在P+发射区2和N+发射区3上表面具有第一金属1-1； 所述沟槽栅极结构包括沟槽栅极5、分裂栅极11和第一栅氧化层6-1，其中分裂栅极11位于沟槽栅极5的正下方并由第一栅氧化层6-1隔离，同时沟槽栅极5、分裂栅极11与P型基区4、浮空P区12、N-漂移区7之间也通过第一栅氧化层6-1隔离； 所述浮空P区12的上层与沟槽发射极结构相邻的部位具有P+欧姆接触区15；所述P+欧姆接触区15与沟槽发射极结构接触，P+欧姆接触区15的上表面具有第二金属17，与第二金属17相邻的浮空P区12上表面具有场氧化层13，场氧化层13与第二金属17接触但是与沟槽栅极结构之间具有间距，在场氧化层13的上表面具有多晶硅二极管；所述多晶硅二极管包括多晶硅二极管P+区18和多晶硅二极管N+区19，所述多晶硅二极管P+区18与第二金属17接触； 所述沟槽发射极结构包括沟槽发射极14和第二栅氧化层6-2，其中第二栅氧化层6-2将沟槽发射极14与浮空P区12、P+欧姆接触区15、P区20、N-漂移区7隔离；所述沟槽发射极14上表面具有第三金属1-2； 所述P区20的上表面具有N+接触区16，N+接触区16与第二栅氧化层6-2接触；所述第三金属也覆盖N+接触区16的上表面； 所述分裂栅极11与多晶硅二极管N+区19电气连接，并在分裂栅极11与第一金属1-1之间串接电容C，从而使浮空P区12的电位为电容C充电，实现对分裂栅的自钳位。

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