全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司刘瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司申请的专利一种MOSFET器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706005B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110925271.8，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种MOSFET器件的制备方法是由刘瑞;吴军民;杨霏设计研发完成，并于2021-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MOSFET器件的制备方法，包括：提供半导体基底；在半导体基底上形成掺杂导电离子的栅极材料层；对栅极材料层进行退火处理，退火处理使栅极材料层背离半导体基底的至少部分表面形成氧化层；进行退火处理之后，对栅极材料层进行腐蚀清洗处理以去除氧化层；去除氧化层之后，对栅极材料层进行刻蚀以形成栅电极层。MOSFET器件的制备方法有效降低了MOSFET器件失效的风险。
本发明授权一种MOSFET器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底； 在所述半导体基底上形成掺杂导电离子的栅极材料层； 对所述栅极材料层进行退火处理，所述退火处理使栅极材料层背离所述半导体基底的至少部分表面形成氧化层； 进行所述退火处理之后，对所述栅极材料层进行腐蚀清洗处理以去除所述氧化层； 对所述栅极材料层进行水洗处理，去除所述MOSFET器件表面的水渍； 在所述栅极材料层上涂覆第一初始光刻胶层；去除所述水渍的终止时刻至涂覆所述第一初始光刻胶层的起始时刻的时间间隔小于或等于2小时；或者，在去除所述水渍之后且涂覆所述第一初始光刻胶层之前，将所述MOSFET器件置于惰性环境或氮气环境； 对所述第一初始光刻胶层依次进行曝光和显影，以形成图形化的第一光刻胶层； 以所述第一光刻胶层为掩膜对所述栅极材料层进行刻蚀以形成多个栅电极层； 去除所述第一光刻胶层。
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