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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利一种单晶金刚石的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115726030B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211594172.7，技术领域涉及：C30B25/00；该发明授权一种单晶金刚石的制备方法是由冯曙光;于金凤设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶金刚石的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于金刚石制备领域，公开了一种单晶金刚石的制备方法。包括以下步骤：挑选高度接近的籽晶，进行酸洗处理；准备基板台，在基板台的上表面镀一层碳膜，碳膜厚度为5~10μm，镀膜完成后清洗、干燥；将酸洗后的籽晶放入镀膜后的基板台，再将基板台放进沉积腔体中，抽真空后开始通入氢气，开启微波刻蚀；刻蚀完成后，通入甲烷、二氧化碳、氩气、氮气的混合气体，生长；生长完成后，停止通入甲烷，在生长温度的基础上提高100~150℃，保温，然后降温至室温，得单晶金刚石。本发明极大改善籽晶上的温度分布，促进生长面平整，可大批量制备中高品质高平整度单晶金刚石。

本发明授权一种单晶金刚石的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶金刚石的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1挑选高度接近的籽晶，进行酸洗处理； 2准备基板台，所述基板台包括圆柱形结构或圆台形结构的基板台主体，所述基板台主体的上表面设置圆形凹槽，所述圆形凹槽的底部设置多个容纳籽晶的网格凹槽；所述圆形凹槽的中心与基板台主体表面的中心重合；所述网格凹槽均匀设置在所述基板台主体的上表面；所述网格凹槽在基板台主体的上表面呈多条线性阵列排布、多层圆周阵列排布、多层矩形阵列排布中的任一种排布方式；在基板台的上表面镀一层碳膜，碳膜厚度为5~10μm，镀膜完成后清洗、干燥； 3将步骤1酸洗后的籽晶放入步骤2所得镀膜后的基板台，再将基板台放进沉积腔体中，抽真空后开始通入氢气，开启微波，在温度为700~1000℃，压强为17~21kPa下，刻蚀0.5~2h； 4刻蚀完成后，通入甲烷、二氧化碳、氩气、氮气，在压强为20~25kPa、温度为900~1050℃的环境中，生长180~200h；其中，甲烷的流量值为8~75sccm，二氧化碳的流量值为0.5~3sccm，氩气的流量值为1~10sccm，氮气的流量值为0.05~0.1sccm； 5生长完成后，停止通入甲烷、二氧化碳、氩气、氮气，在步骤4中生长温度的基础上提高100~150℃，保温1~2h，然后以100~200℃为梯度进行降温，并在各梯度温度保温1~2h，至室温，关闭微波，停止通入氢气，得单晶金刚石。

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