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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利建立LDMOS管等效电路的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115935871B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211531567.2，技术领域涉及：G06F30/3308；该发明授权建立LDMOS管等效电路的方法是由王正楠设计研发完成，并于2022-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本建立LDMOS管等效电路的方法在说明书摘要公布了：一种建立LDMOS管等效电路的方法，所述LDMOS管包括：第一漏极和第一源极。建立LDMOS管等效电路的方法包括：建立原等效电路，所述原等效电路包括：等效MOS管、漏极寄生电阻和源极寄生电阻，所述等效MOS管包括：第二漏极和第二源极；所述漏极寄生电阻的第一端连接所述第一漏极，所述漏极寄生电阻的第二端连接所述第二漏极，所述源极寄生电阻的第一端连接所述第二源极，所述源极寄生电阻的第二端连接所述第一源极；将所述漏极寄生电阻的阻值修正为与第一修正值和第二修正值相关，所述第一修正值与所述第一漏极到所述第一源极之间的电压相关，所述第二修正值与所述第二漏极到所述第一源极之间的电压相关。

本发明授权建立LDMOS管等效电路的方法在权利要求书中公布了：1.一种建立LDMOS管等效电路的方法，所述LDMOS管包括：第一漏极和第一源极，其特征在于，包括： 建立原等效电路，所述原等效电路包括：等效MOS管、漏极寄生电阻和源极寄生电阻，所述等效MOS管包括：第二漏极和第二源极； 所述漏极寄生电阻的第一端连接所述第一漏极，所述漏极寄生电阻的第二端连接所述第二漏极，所述源极寄生电阻的第一端连接所述第二源极，所述源极寄生电阻的第二端连接所述第一源极； 将所述漏极寄生电阻的阻值修正为与第一修正值和第二修正值相关，所述第一修正值与所述第一漏极到所述第一源极之间的电压相关，所述第二修正值与所述第二漏极到所述第一源极之间的电压相关，其中，所述第二修正值含有用于拟合过渡区的参数； 所述漏极寄生电阻的阻值；其中，rds为所述漏极寄生电阻的估值，vnvd,0为所述第一修正值，vnvd1,0为所述第二修正值； 所述第二修正值；其中，ec2为数学修正系数，用于拟合过渡区的参数；vd1,s为所述第二漏极到所述第一源极之间电压的电压值。

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