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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利双光栅半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115986560B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211724247.9，技术领域涉及：H01S5/125；该发明授权双光栅半导体激光器是由梁松;郭竟;朱旭愿;李振宇;李欢设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本双光栅半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双光栅半导体激光器，包括分布反射镜区和分布反馈区。其中，分布反射镜区包括：第一N电极，形成于第一衬底的下表面；第一衬底；第一量子阱材料层，形成于第一衬底的上表面；第一光栅，形成于第一量子阱材料层之上；第一包层材料，形成于第一光栅之上；分布反馈区包括：第二N电极，形成于第二衬底的下表面；第二衬底；第二量子阱材料层，形成于第二衬底的上表面；第二光栅，形成于第二量子阱材料层之上；第二包层材料，形成于第二光栅之上；第一P电极，形成于第二包层材料之上；其中，第一光栅的高度大于第二光栅的高度，且第二光栅的高度为5～200nm。

本发明授权双光栅半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种双光栅半导体激光器，包括： 分布反射镜区，适用于将入射到所述分布反射镜区的光进行反射，包括： 第一N电极，形成于第一衬底的下表面； 所述第一衬底，所述第一衬底的材料包括InP； 第一量子阱材料层，形成于所述第一衬底的上表面； 第一光栅，形成于所述第一量子阱材料层之上，将入射到所述分布反射镜区的激光反射回分布反馈区； 其中，所述第一光栅包括：第一光栅材料层，形成于所述第一量子阱材料层之上；第一间隔层，形成于所述第一光栅材料层之上；第二光栅材料层，形成于所述第一间隔层之上； 第一包层材料，形成于所述第一光栅之上，适用于提供对所述激光器中光和电的限制； 所述分布反馈区，适用于对所述分布反射镜区反射的光进行选模，实现单模发光，包括： 第二N电极，形成于第二衬底的下表面； 所述第二衬底，所述第二衬底的材料包括InP； 第二量子阱材料层，形成于所述第二衬底的上表面； 第二光栅，形成于所述第二量子阱材料层之上，执行所述分布反馈区的选模功能； 其中，所述第二光栅包括：第三光栅材料层，形成于所述第二量子阱材料层之上； 第二包层材料，形成于所述第二光栅之上，适用于提供对所述激光器中光和电的限制； 第一P电极，形成于所述第二包层材料之上； 其中，所述第一光栅的高度大于所述第二光栅的高度，且所述第二光栅的高度为5～200nm。

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