南亚科技股份有限公司江霈柔获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利形成半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210139938.6，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权形成半导体结构的方法是由江霈柔;曾自立;王义舜设计研发完成，并于2022-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体结构的方法在说明书摘要公布了：本发明内容提供一种形成半导体结构的方法，方法包含以下操作。接收半导体基板，其中半导体基板包含栅极介电层和位于栅极介电层上的栅极层。执行第一蚀刻操作以图案化栅极层，并暴露出栅极介电层的顶表面。执行第二蚀刻操作，以第一变压耦合等离子体蚀刻栅极层的侧壁，其中第一变压耦合等离子体具有第一功率。执行第三蚀刻操作，以第二变压耦合等离子体蚀刻栅极层的侧壁，其中第二变压耦合等离子体具有第二功率，第一功率小于第二功率。此方法借由调整等离子体蚀刻设备上的参数以修饰栅极层的栅极轮廓，因此，可以避免颈缩或底角的栅极轮廓，同时得到实质上与栅极介电层垂直的栅极轮廓，从而大幅降低MOSFET的临界尺寸差异。
本发明授权形成半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包含： 接收半导体基板，其中该半导体基板包含栅极介电层和位于该栅极介电层上的栅极层； 执行第一蚀刻操作以图案化该栅极层，并暴露出该栅极介电层的顶表面； 在第一偏压下执行第二蚀刻操作，以第一变压耦合等离子体蚀刻该栅极层的侧壁，其中该第一变压耦合等离子体具有第一功率，该第一偏压具有第一偏压功率；以及 在第二偏压下执行第三蚀刻操作，以第二变压耦合等离子体蚀刻该栅极层的该侧壁，其中该第二变压耦合等离子体具有第二功率，该第一功率小于该第二功率，该第二偏压具有第二偏压功率，该第一偏压功率大于该第二偏压功率。
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