嘉兴学院李在房获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉兴学院申请的专利一种掺杂3-氨基-2-噻吩甲酸甲酯的钙钛矿太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116347902B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310159618.1，技术领域涉及：H10K30/50；该发明授权一种掺杂3-氨基-2-噻吩甲酸甲酯的钙钛矿太阳能电池及其制备方法是由李在房;宋嘉兴;邱楚峰;尹新星;胡林;苏振;金英芝设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种掺杂3-氨基-2-噻吩甲酸甲酯的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种掺杂3‑氨基‑2‑噻吩甲酸甲酯的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，3‑氨基‑2‑噻吩甲酸甲酯中氨基、酯基和噻吩上的氮原子、氧原子和硫原子可与钙钛矿中的阳离子和阴离子空位缺陷发生配位键合作用，协同钝化钙钛矿晶体表面和晶界处的缺陷，降低陷阱态密度，抑制钙钛矿薄膜的非辐射复合和延长载流子寿命；掺杂物的引入可促进高质量钙钛矿薄膜生长，获得结晶性更好、晶界更少的钙钛矿薄膜，促进光吸收和载流子传输，提高了掺杂钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。3‑氨基‑2‑噻吩甲酸甲酯还可以提高钙钛矿薄膜的疏水性和在光照、加热、水汽、氧气条件下的耐老化性，改善掺杂钙钛矿太阳能电池环境稳定性、光照稳定性和热稳定性。
本发明授权一种掺杂3-氨基-2-噻吩甲酸甲酯的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种掺杂3-氨基-2-噻吩甲酸甲酯的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，由下至上依次包括：阳极基底、空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层、电子传输层、空穴阻挡层以及阴极电极； 所述钙钛矿吸光层为3-氨基-2-噻吩甲酸甲酯掺杂钙钛矿层，且所述钙钛矿吸光层的钙钛矿是由Cs、MA和FA三种阳离子中的至少一种离子构成，其通式为：FA1-x-yMACsPbI3-Br0≤x1,0≤y≤1，x+y≤1,0≤z3； 所述钙钛矿吸光层制备方法为反溶剂法，所用反溶剂为含3-氨基-2-噻吩甲酸甲酯的氯苯溶液。
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