中国科学院半导体研究所张智豪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种放大反馈激光器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116470385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310254345.9,技术领域涉及:H01S5/12;该发明授权一种放大反馈激光器及其制备方法是由张智豪;陆丹;张瑞康;赵玲娟设计研发完成,并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种放大反馈激光器及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种放大反馈激光器及其制备方法,涉及光电子技术领域,避免了现有技术中放大反馈激光器因简并双模影响光生微波的纯净度的问题,从而大幅提升器件性能。该放大反馈激光器包括:激光器区、相位控制区和放大反馈区;所述相位控制区设置在所述激光器区和所述相位控制区之间、且分别与所述激光器区和所述放大反馈区相连;所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区均分别包括多层生长结构;所述多层生长结构包括光栅层,所述激光器区的光栅层包括光栅区和非光栅区,所述光栅区包括光栅。
本发明授权一种放大反馈激光器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种放大反馈激光器,其特征在于,包括:激光器区、相位控制区和放大反馈区;所述相位控制区设置在所述激光器区和所述放大反馈区之间、且分别与所述激光器区和所述放大反馈区相连; 其中,所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区均分别包括多层生长结构;所述多层生长结构包括光栅层,所述激光器区的光栅层包括光栅区和非光栅区,所述光栅区包括光栅;所述相位控制区的光栅层和所述放大反馈区的光栅层均包括覆盖所属区域的光栅材料。
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