上海华虹宏力半导体制造有限公司王聪玉获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利版图修正方法、存储介质及终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116520632B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310438642.9，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权版图修正方法、存储介质及终端是由王聪玉;金晓亮设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本版图修正方法、存储介质及终端在说明书摘要公布了：一种版图修正方法、存储介质及终端，其中版图修正方法包括：获取修正版图；对所述修正版图进行光学邻近修正验证处理，获取所述修正版图中的错误点；基于所述错误点获取第一局部区域，所述第一局部区域内具有若干待修正图形；对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理。基于所述错误点获取第一局部区域，所述第一局部区域内具有若干待修正图形，通过仅对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理，避免了全芯片区域的修正，进而有效提高了修正效率，而且避免了在原本修正准确的区域重新出现修正误差，提高了修正准确率。
本发明授权版图修正方法、存储介质及终端在权利要求书中公布了：1.一种版图修正方法，其特征在于，包括： 获取修正版图； 对所述修正版图进行光学邻近修正验证处理，获取所述修正版图中的错误点； 基于所述错误点在所述修正版图中获取第一局部区域，所述第一局部区域内具有若干待修正图形； 对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理；其中， 对所述第一局部区域的所述待修正图形进行修正处理的方法包括：提供光学邻近修正验证数据库；在所述光学邻近修正验证数据库中搜索与所述第一局部区域相适配的历史修正区域；当在所述光学邻近修正验证数据库搜索到所述历史修正区域时，将所述历史修正区域内图形的修正数据运用至所述第一局部区域内进行若干所述待修正图形的修正处理； 所述修正版图具有相对应的初始版图和目标版图，基于所述错误点在所述修正版图中获取第一局部区域的同时，还包括：在所述初始版图和所述目标版图中同时获取相对应的第二局部区域，所述初始版图中的所述第二局部区域和所述目标版图中的所述第二局部区域内具有若干与所述待修正图形相对应的参考图形。
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