复旦大学马宏平获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种在金刚石表面异质外延的氧化镓薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116555734B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310574489.2，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种在金刚石表面异质外延的氧化镓薄膜及其制备方法是由马宏平;顾林设计研发完成，并于2023-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在金刚石表面异质外延的氧化镓薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种在金刚石表面异质外延的氧化镓薄膜及其制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明采用原子层沉积技术，首先制备氧终端金刚石衬底表面，然后在氧终端金刚石衬底表面沉积氧化镓得到氧化镓薄膜。本发明获得的氧化镓薄膜具有优异的厚度均匀性和极其精确的成分控制，与此同时，采用的原子层沉积方法是在低温条件下进行，由此，氧化镓与金刚石界面处的粘合性非常好，不会因金刚石和氧化镓之间较大的材料性质差异而受到影响。
本发明授权一种在金刚石表面异质外延的氧化镓薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种在金刚石表面异质外延氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将金刚石表面进行预处理，将其放入原子层沉积的反应腔； 2将氧源反应前躯体通入反应腔，与金刚石反应形成氧终端金刚石表面； 3将镓源前驱体通入反应腔，在氧终端金刚石表面生长氧化镓获得氧化镓薄膜； 步骤2所述将氧源反应前躯体通入反应腔的方式为使用plasma脉冲方式通入， 所述反应腔腔室压力1～10mbar；所述plasma激活功率为100～500W，使用1～500个脉 冲，每个脉冲1～50s。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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