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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司申请的专利直接型电子探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116960135B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210411536.7，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权直接型电子探测器是由胡立磊;张力;陈昌;任嘉莹;罗浒;张旭设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本直接型电子探测器在说明书摘要公布了：本发明提供一种直接型电子探测器，包括：半导体叠层结构及外围信号测量电路；半导体叠层结构由下向上包括：半导体基底、U型截面的半导体电阻层、第一半导体层、第二半导体层、绝缘层、金属层、本征层及第三半导体层；第一半导体层形成于电阻层的凹槽中，第二半导体层形成于第一半导体层上，绝缘层形成于第二半导体层外侧，金属层形成于绝缘层外侧；电阻层及第一半导体层为第一掺杂类型，第二半导体层及第三半导体层为第二掺杂类型，第三半导体层及本征层形成电子吸收区，第一半导体层及第二半导体层形成雪崩区；外围信号测量电路包括计数器；半导体叠层结构与外围信号测量电路电连接。该结构可有效提高探测器的灵敏度及响应速度。

本发明授权直接型电子探测器在权利要求书中公布了：1.一种直接型电子探测器，其特征在于，所述直接型电子探测器包括：半导体叠层结构及外围信号测量电路； 所述半导体叠层结构由下向上包括：半导体基底、U型截面的半导体电阻层、第一半导体层、第二半导体层、绝缘层、金属层、本征层及第三半导体层；其中，所述U型截面的半导体电阻层自所述半导体基底表面向内延伸，所述第一半导体层形成于所述U型截面的半导体电阻层的凹槽中，所述第二半导体层形成于所述第一半导体层上，所述绝缘层形成于所述第二半导体层外侧，所述金属层形成于所述绝缘层外侧且与所述U型截面的半导体电阻层接触；所述U型截面的半导体电阻层及所述第一半导体层为第一掺杂类型，所述第二半导体层及所述第三半导体层为第二掺杂类型，所述第三半导体层及所述本征层形成电子吸收区，所述第一半导体层及所述第二半导体层形成雪崩区； 所述外围信号测量电路包括计数器； 所述半导体叠层结构与所述外围信号测量电路电连接在一起，其中所述U型截面的半导体电阻层上的所述金属层与所述计数器电连接，以实现所述外围信号测量电路对电信号的计数测量。

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