济南大学高城城获国家专利权
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龙图腾网获悉济南大学申请的专利一种水稳定杂化铋碘材料的合成及光催化CO2还原应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117024353B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310939331.0，技术领域涉及：C07D235/06；该发明授权一种水稳定杂化铋碘材料的合成及光催化CO2还原应用是由高城城;刘广宁;唐雪娜;王婷婕;李村成设计研发完成，并于2023-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种水稳定杂化铋碘材料的合成及光催化CO2还原应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无机‑有机铋碘杂化半导体及其制备方法和应用，所述的杂化半导体分子式为Me2bizBiI4，式中的Me2biz+是带有一个正电荷的甲基化苯并咪唑阳离子，该材料中的BiI4‑是由三价铋离子和碘离子配位形成的一维阴离子链，通过选择碘化铋、苯并咪唑、甲醇、丙酮和氢碘酸为反应原料和溶剂，在溶剂热反应条件下获得了化合物Me2bizBiI4的单晶，具有很好的稳定性和光催化CO2还原催化活性。
本发明授权一种水稳定杂化铋碘材料的合成及光催化CO2还原应用在权利要求书中公布了：1.一种无机-有机铋碘杂化半导体Me2bizBiI4，式中的Me2biz表示甲基化苯并咪唑阳离子，该铋碘杂化半导体结晶于三斜晶系，P-1空间群，单胞参数为α＝79.154°，β＝77.924°，γ＝72.084°，晶体颜色为红色，表现为离子型杂化结构，其中阳离子为Me2biz+阳离子，由苯并咪唑上氮原子双甲基化形成，阴离子为由BiI63-八面体共边连接形成的BiI4-阴离子链，包含三价六配位的铋离子，单齿和双齿配位的碘离子，该链沿a轴方向延伸，填充在Mebiz+阳离子堆积形成的孔道中。
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