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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种基于双槽波导的片上偏振分束器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117192690B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210604724.1，技术领域涉及：G02B6/126；该发明授权一种基于双槽波导的片上偏振分束器是由刘建国;李欣桐;李金野;赵奕儒设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于双槽波导的片上偏振分束器在说明书摘要公布了：本公开提供一种基于双槽波导的片上偏振分束器，包括衬底、两个核心波导、三个限制波导。三个限制波导与两个核心波导交替排布，两个相邻波导间存在空心槽；第一核心波导、第一限制波导、第二限制波导以及相邻波导间的两个空心槽共同构成第一双槽波导；第二核心波导、第二限制波导、第三限制波导以及相邻波导间的两个空心槽共同构成第二双槽波导。双槽波导结构具备强偏振相关的模场分布调控特性，可在不借助高阶模转化的条件下，直接将基横电模与基横磁模分离到不同波导，避免了模式转换损耗；本公开提供的偏振分束器在实现有效偏振分束的同时，耦合损耗小、耦合距离短、偏振消光比高且制备工艺简单，有利于紧凑的大规模光子集成应用。

本发明授权一种基于双槽波导的片上偏振分束器在权利要求书中公布了：1.一种基于双槽波导的片上偏振分束器，其特征在于，包括： 衬底； 限制波导，包括第一限制波导、第二限制波导、第三限制波导，所述第一限制波导、所述第二限制波导以及所述第三限制波导间隔的设于所述衬底上； 第一核心波导，设于所述衬底上并位于所述第一限制波导和所述第二限制波导之间，所述第一核心波导包括输入波导、第一耦合波导、S形波导以及第一输出波导； 第二核心波导，设于所述衬底上并位于所述第二限制波导和所述第三限制波导之间，所述第二核心波导，包括锥形渐变波导、第二耦合波导以及第二输出波导； 其中，所述第一核心波导、所述第一限制波导、所述第二限制波导以及相邻波导间的两个空心槽共同构成第一双槽波导，所述第二核心波导、所述第二限制波导、所述第三限制波导以及相邻波导间的两个空心槽共同构成第二双槽波导；所述限制波导、所述第一核心波导以及所述第二核心波导沿模式传输方向的高度、宽度均维持不变，且高度均相同；所述第一核心波导、所述第二核心波导的宽度相等，所述第一限制波导、所述第二限制波导、所述第三限制波导的宽度相等。

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