M技术株式会社大川秀树获国家专利权
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龙图腾网获悉M技术株式会社申请的专利单晶球状硅纳米粒子的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117396433B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280035206.0，技术领域涉及：C01B33/023；该发明授权单晶球状硅纳米粒子的制造方法是由大川秀树;榎村真一设计研发完成，并于2022-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶球状硅纳米粒子的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单晶、球状、平均粒径为1nm～20nm的单晶球状硅纳米粒子的制造方法，所述制造方法包括使原料液与还原液混合反应的工序，其中，所述原料液含有卤化硅，所述还原液含有由锂、钠或钾与稠合芳族化合物生成的所述稠合芳族化合物的阴离子，所述稠合芳族化合物的阴离子通过将锂、钠或钾与稠合芳族化合物在低于0℃下混合而调制。根据本发明的制造方法制造的单晶球状硅纳米粒子，能够通过从200nm～300nm的深紫外线的光到可见光的宽波长的光的激发而产生蓝色至红色的荧光，可以将目前已知的硅纳米粒子的荧光量子效率从1％左右增加到10％以上。
本发明授权单晶球状硅纳米粒子的制造方法在权利要求书中公布了：1.单晶球状硅纳米粒子的制造方法，其中，所述单晶球状硅纳米粒子是单晶、球状、平均粒径为1nm～20nm， 所述制造方法包括在能够接近远离地相互对置配设、且至少一方相对于另一方相对旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中，使原料液与5℃以下的还原液混合反应的工序，其中，所述原料液含有卤化硅，所述还原液含有由锂、钠或钾与稠合芳族化合物生成的稠合芳族化合物的阴离子， 所述处理用面的转速为700rpm～5000rpm， 所述稠合芳族化合物的阴离子通过将锂、钠或钾与稠合芳族化合物在低于0℃下混合而调制。
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