美光科技公司K·K·姆奇尔拉获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利使用缺陷率信息的存储器块编程获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117457053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310896416.5，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权使用缺陷率信息的存储器块编程是由K·K·姆奇尔拉;合田晃;D·S·埃布森;L·K·瓦卡缇;J·朱;P·菲利;S·苏巴劳;V·希夫哈雷;朱方芳设计研发完成，并于2023-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用缺陷率信息的存储器块编程在说明书摘要公布了：本公开涉及使用缺陷率信息的存储器块编程。方法、系统及设备包含检索存储器的一部分的缺陷率足迹，存储器的所述部分由多个块组成。基于所述缺陷率足迹确定所述多个块中的当前块的层面编程顺序。所述当前块由多个层面组成。所述层面编程顺序是对所述多个层面进行编程的顺序。所述多个层面根据所述经确定层面编程顺序进行编程。
本发明授权使用缺陷率信息的存储器块编程在权利要求书中公布了：1.一种方法，其包括： 检索存储器的一部分的缺陷率足迹，存储器的所述部分由多个块组成； 基于所述缺陷率足迹确定所述多个块中的当前块的层面编程顺序，其中所述当前块由多个层面组成且其中所述层面编程顺序包括对所述多个层面进行编程的顺序；及 根据经确定的所述层面编程顺序对所述多个层面进行编程。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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