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龙图腾网获悉广州拓尔微电子有限公司申请的专利一种提高PSR性能且快速瞬态响应的无片外电容LDO获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117472131B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311368129.3，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种提高PSR性能且快速瞬态响应的无片外电容LDO是由朱俊杰;李开友;安彦吾设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高PSR性能且快速瞬态响应的无片外电容LDO在说明书摘要公布了：本发明公开一种提高PSR性能且快速瞬态响应的无片外电容LDO，其特征在于，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2、电容C3、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、MOS管M15、MOS管M16、MOS管M17、运算放大器OP2、误差放大器EA和纹波放大电路RAC。本发明改善了瞬态响应，增大了环路的增益，改善了负载调整率和线性调整率，即便在大负载电流情况下，仍有较好的PSR性能。

本发明授权一种提高PSR性能且快速瞬态响应的无片外电容LDO在权利要求书中公布了：1.一种提高PSR性能且快速瞬态响应的无片外电容LDO，其特征在于，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2、电容C3、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、MOS管M15、MOS管M16、MOS管M17、运算放大器OP2、误差放大器EA和纹波放大电路RAC，MOS管M1的栅极和漏极连接后，接到10μA恒流源后连接电压VDD，第一串联电路的一端也与电压VDD连接，第一串联电路的另一端与MOS管M1的源极连接后共同接地，第一串联电路包括依次串联的电阻R1、电阻R2和电阻R3，电阻R1的一端与电压VDD连接，电阻R3的一端与MOS管M1的源极连接，MOS管M2的源极、MOS管M5的源极、MOS管M6的源极、MOS管M8的源极、MOS管Mp的源极和MOS管M15的源极共同连接后接入电压VDD，电阻R4的一端、电容C1的一端、MOS管M10的源极、MOS管M11的源极、MOS管M12的源极、第一并联电路的一端、电容C3的一端、MOS管M17的源极的一端共同连接后接入MOS管M1源极所接入的接地端，第一并联电路包括并联的电容CLOAD和电阻RLOAD，第一并联电路的另一端、电容C2的一端、MOS管M11的漏极、MOS管M13的源极共同与MOS管Mp的漏极连接，并形成所述无片外电容LDO的输出端VOUT＿LDO， 运算放大器OP2的VP接入端与电阻R2和电阻R3之间的连接节点相连接，运算放大器OP2的VN接入端分别与MOS管M4的源极、电阻R4的另一端连接，运算放大器OP2的接入端VBIAS分别与纹波放大电路RAC的接入端VBIAS、误差放大器EA的接入端VBIAS、MOS管M12的栅极以及M1的栅极连接，运算放大器OP2的输出端与MOS管M4的栅极连接，MOS管M4的漏极分别与电容C1的另一端、MOS管M3的漏极、MOS管M2的栅极、MOS管M8的栅极连接，MOS管M2的漏极与MOS管M3的源极相连接，MOS管M3的栅极与MOS管M7的栅极相连接并接到偏置电压VB_CAS， MOS管M5的栅极、MOS管M6的栅极、MOS管M10的漏极、MOS管M9的栅极共同连接在一起，MOS管M6的漏极、MOS管M9的漏极、MOS管M7的漏极、MOS管Mp的栅极、MOS管M15的栅极共同连接在一起，MOS管M9的源极、MOS管M10的栅极、MOS管M11的栅极、MOS管M12的漏极、MOS管M13的漏极共同连接在一起，MOS管M13的栅极与电容C3的另一端、误差放大器EA的输出端连接在一起， 误差放大器EA的输入端VP与纹波放大电路RAC的电压输入端VREF连接后共同连接一个1.8V的参考电压，误差放大器EA的输入端ADA_VBIAS、MOS管M17的栅极、MOS管M17的漏极、纹波放大电路RAC的输入端ADA_VBIAS、MOS管M16的源极共同连接，误差放大器EA的输入端VN与所述输出端VOUT＿LDO连接， 电容C2的另一端分别与电阻R1与电阻R2之间的连接节点、反相器U1的输入端连接，反相器U1的输出端与MOS管M14的栅极连接，MOS管M14的源极接地，MOS管M14的漏极、MOS管Mp的栅极、MOS管M15的栅极、MOS管M7的漏极、MOS管M6的漏极、MOS管M9的漏极共同连接， 纹波放大电路RAC的输出端VBODY还连接于MOS管Mp的衬底。

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