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龙图腾网获悉广东伟智创科技有限公司申请的专利一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117512563B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311379355.1，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置是由李健;曲恒绪;梁静;周政;张露;胡金勇设计研发完成，并于2023-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置，生长盘下部设置有气路阻挡罩，气路阻挡罩包括上罩体、下罩体以及保护气路，上罩体和下罩体合围形成一个上部具有环形通气口的腔体，保护气路一端与腔体连通，另一端伸出反应器外壳外，与屏蔽气气源连接，环形通气口位于生长盘下方，环形通气口吹出的屏蔽气形成气墙，生长盘、上罩体以及气墙形成一能阻隔含氧反应气体进入的密封空间，加热器位于该密封空间中。本发明能有效防止加热器被含氧反应气体腐蚀，提高设备的使用寿命。

本发明授权一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置在权利要求书中公布了：1.一种具有防氧化、耐高温加热器的MOCVD反应装置，包括反应器外壳1，所述的反应器外壳1内设置有反应腔，所述的反应腔上端设置有进气口11，下端设置有出气口12，反应腔内安装有用于放置待生长衬底的生长盘2，所述的生长盘2的底部设置加热器3，所述的加热器3用于加热生长盘2及生长盘2附近空间，所述的进气口11向反应腔吹入含氧反应气体，所述的含氧反应气体能在待生长衬底表面沉积，形成沉积层，含氧反应气体能从出气口12吹出反应腔，其特征是：所述的生长盘2下部设置有气路阻挡罩4，所述的气路阻挡罩4包括上罩体41、下罩体42以及保护气路43，上罩体41和下罩体42合围形成一个上部具有环形通气口44的腔体45，所述的保护气路43一端与腔体45连通，另一端伸出反应器外壳1外，与屏蔽气气源连接，所述的环形通气口44位于生长盘2下方，所述的环形通气口44吹出的屏蔽气形成气墙，生长盘2、上罩体41以及气墙形成一能阻隔含氧反应气体进入的密封空间，加热器3位于该密封空间中；所述的上罩体41包括第一底盘41a和第一衬边41b，所述的第一底盘41a水平设置，所述的第一衬边41b环绕固定在第一底盘41a外围，第一衬边41b外端向上翘起，所述的下罩体42包括第二底盘42a和第二衬边42b，所述的第二底盘42a水平设置，所述的第二衬边42b环绕固定在第二底盘42a外围，第二衬边42b外端向上翘起，所述的第二衬边42b位于第一衬边41b外侧，所述的第一衬边41b和第二衬边42b之间具有间隙，该间隙即为环形通气口44，所述的第一底盘41a和第二底盘42a之间设置有分气盘47，所述的分气盘47与第一底盘41a和或第二底盘42a固定配合，所述的分气盘47与第一底盘41a下表面之间具有间隙，分气盘47与第二底盘42a之间具有间隙，保护气路43一端开口于第二底盘42a上表面，所述的分气盘47上设置有若干个分气孔，所述的分气孔上下贯穿分气盘47，且分气孔上开口倾斜指向环形通气口44。

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