电子科技大学(深圳)高等研究院彭春瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学(深圳)高等研究院申请的专利一种带声学耦合层的叠层复合磁电材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117646163B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311602287.0，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权一种带声学耦合层的叠层复合磁电材料及其制备方法是由彭春瑞;杨军;郭秋泉;张东星设计研发完成，并于2023-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带声学耦合层的叠层复合磁电材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种带声学耦合层的叠层复合磁电材料及其制备方法，涉及叠层复合磁电材料技术领域，包括声学耦合层、压电层和压磁层，所述声学耦合层的特征声阻抗为A，所述压电层材料的特征声阻抗为B，所述压磁层材料的特征声学阻抗为C，在BC或者CB的条件下，满足BAC或CAB。本发明通过提出一种声学耦合层结构并将其添加点叠层复合磁电材料中，有效地降低了声波的传输阻力，大大提升了磁电耦合效率，并且根据纵波和剪切波两种不同声波的工作模式提出两种不同的带声学耦合层的叠层复合磁电材料结构及其制备方法。
本发明授权一种带声学耦合层的叠层复合磁电材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带声学耦合层的叠层复合磁电材料，包括声学耦合层、压电层和压磁层，所述声学耦合层的特征声阻抗为A，所述压电层材料的特征声阻抗为B，所述压磁层材料的特征声学阻抗为C，在BC或者CB的条件下，满足BAC或CAB； 声学耦合层与压电层、压磁层之间满足以下函数关系： 在磁电效应下： 在逆磁电效应下： 其中：L——声学耦合层的长度 ρ——声学耦合层的材料密度 Y1——压电层的弹性模量 L1——压电层的长度 ρ1——压电层的材料密度 Y2——压磁层的弹性模量 L2——压磁层的长度 ρ2——压磁层的材料密度。
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