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龙图腾网获悉河北同光半导体股份有限公司申请的专利晶体正交角度偏差调整方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117754459B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311757873.2，技术领域涉及：B24B41/06；该发明授权晶体正交角度偏差调整方法是由李永超;郑向光;曹宝红;崔盼兴;刘凯辉设计研发完成，并于2023-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体正交角度偏差调整方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种晶体正交角度偏差调整方法，包括以下步骤：固定寻峰检测工装；固定晶体；旋转晶体并进行寻峰测量，以得到特定方向所对应的位置；在晶体上标记平行线段，并在平行线段一端标记箭头；调节晶体位置，使晶体柱面朝上，令箭头指向定向仪射线方向；测量晶体上表面的偏角度，即为Y轴角度；准备与Y轴角度相适配的粘接台；根据箭头的方向将晶体固定在粘接台上；通过平磨设备进行加工；重复执行前述几项步骤，直至完成晶体正交角度偏差的调整。本申请提供的晶体正交角度偏差调整方法，能够在确保正交角度检测准确性的同时，简化操作步骤、减少晶体表面操作次数、降低对设备精度的依赖，并且提高正交角度偏差调整效率。

本发明授权晶体正交角度偏差调整方法在权利要求书中公布了：1.晶体正交角度偏差调整方法，适用于某一晶向偏向于特定方向的晶体，定义所述晶向为0001、所述特定方向为110；其特征在于，所述晶体正交角度偏差调整方法包括以下步骤： 1固定寻峰检测工装至定向仪的工作台上； 2将所述晶体放置在所述寻峰检测工装上，以使所述晶体的上表面朝上，并且通过固定所述晶体的柱面的方式来限制所述晶体移动； 3沿所述柱面的周向旋转所述晶体，同时通过所述定向仪进行寻峰测量，以得到110方向所对应的位置； 4在所述晶体上表面上标记平行于110面的平行线段，所述110面为垂直于所述110方向的平面，并在所述平行线段的一端标记箭头； 5调节所述晶体位置，以使所述晶体的柱面朝上，并且通过固定所述晶体的上侧面的方式来限制所述晶体移动；同时，使所述箭头指向所述定向仪射线发出的方向； 6测量所述晶体上表面的偏角度，将其定义为Y轴角度，并区分正负号； 7准备与所述Y轴角度相适配的粘接台； 8将所述晶体的上表面朝下固定在所述粘接台上，并根据所述Y轴角度的正负、所述箭头方向与所述粘接台进行匹配； 当所述Y轴角度为正值时，所述箭头指向所述粘接台的上端；当所述Y轴角度为负值时，所述箭头指向所述粘接台的底端； 9通过平磨设备对所述晶体的下表面进行加工，以使加工面的Y轴角度达到预期值； 10重复执行所述步骤2至所述步骤6： 在所述加工面的Y轴角度不满足正交角度要求时，重复执行所述步骤7至所述步骤9； 在所述加工面的Y轴角度满足正交角度要求时，结束调整。

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