苏州思脉新材料科技有限公司彭震获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州思脉新材料科技有限公司申请的专利一种电子级多晶硅包装袋及其生产方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118205829B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410364019.8，技术领域涉及：B65D81/20；该发明授权一种电子级多晶硅包装袋及其生产方法是由彭震;王天坤设计研发完成，并于2024-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电子级多晶硅包装袋及其生产方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电子级多晶硅包装袋及其生产方法，包括上膜，上膜的下方设置有对称分布的下膜，上膜和下膜的侧边固定设置有封边，上膜和下膜的顶端设置有前盖，且前盖活动安装在上膜和下膜的顶端，前盖与封边之间形成活动的密封连接，前盖顶端中部固定设置有气嘴组件，上膜和下膜均包括有基层，基层的两侧均设置有对称分布的抗拉耐磨层，基层下方设置有胶粘层，基层的上方依次设置有阻燃层、绝缘层、防紫外线贴膜层和抗菌层。本发明采用的由上膜和下膜组成的包装袋，实现对电子级多晶硅的全方位包覆，并且由上膜、下膜和封边以及前盖形成的密封的空腔，利用气嘴组件把空腔的内部变成真空状态，有效的提高了对电子级多晶硅包装的效果。
本发明授权一种电子级多晶硅包装袋及其生产方法在权利要求书中公布了：1.一种电子级多晶硅包装袋，包括上膜1，其特征在于，所述上膜1的下方设置有与上膜1对称的下膜2，所述上膜1和下膜2的侧边固定设置有封边3，所述上膜1和下膜2的顶端设置有前盖，且前盖活动安装在上膜1和下膜2的顶端，所述前盖与封边3之间形成活动的密封连接，所述前盖顶端中部固定设置有气嘴组件5，所述上膜1和下膜2均包括有基层10，所述基层10的两侧均设置有抗拉耐磨层11，基层10两侧的抗拉耐磨层11对称分布，所述基层10下侧的抗拉耐磨层11的下方设置有胶粘层12，所述基层10上侧的抗拉耐磨层11的上方依次设置有阻燃层14、绝缘层15、防紫外线贴膜层16和抗菌层17，所述抗菌层17的外侧设置有缓冲层18，所述缓冲层18的外侧设置有表层19，且表层19上设置有印刷涂层20。
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