珠海格力电器股份有限公司方丹华获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海格力电器股份有限公司申请的专利直接键合铜基底、绝缘栅双极晶体管封装模块及制备工艺获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119361562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411374833.4,技术领域涉及:H10W70/65;该发明授权直接键合铜基底、绝缘栅双极晶体管封装模块及制备工艺是由方丹华;吴佳蒙;廖勇波;李春艳;马颖江设计研发完成,并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本直接键合铜基底、绝缘栅双极晶体管封装模块及制备工艺在说明书摘要公布了:本发明实施例提供了一种直接键合铜基底、绝缘栅双极晶体管封装模块及制备工艺,直接键合铜基底可以包括:第一覆铜层;陶瓷层,一面与第一覆铜层的一面连接,陶瓷层添加有增韧物质;第二覆铜层,一面与陶瓷层的另一面连接。通过在陶瓷层添加增韧物质来对陶瓷层进行增韧,从而避免绝缘栅双极晶体管封装模块因为陶瓷层开裂而失效的问题。
本发明授权直接键合铜基底、绝缘栅双极晶体管封装模块及制备工艺在权利要求书中公布了:1.一种直接键合铜基底,其特征在于,所述直接键合铜基底包括: 第一覆铜层; 陶瓷层,一面与所述第一覆铜层的一面连接,所述陶瓷层添加有增韧物质; 第二覆铜层,一面与所述陶瓷层的另一面连接;所述陶瓷层的另一面设置有倒角,所述倒角用于增加所述陶瓷层与所述第二覆铜层的接触面积,以改善边缘结合;所述第二覆铜层由在所述陶瓷层的另一面印刷导电铜浆,并进行第一次烧结后,再在得到的双面覆铜陶瓷层的上表面涂覆镍层,并进行第二次烧结后得到;所述第一次烧结温度为1300℃~1400℃,所述第二次烧结温度为1083℃~1453℃,所述第二覆铜层为铜镍合金相; 所述增韧物质为以下任意一种: 二氧化锆、氮化物陶瓷颗粒、氮化物金属颗粒、碳化物陶瓷颗粒、碳化物金属颗粒、韧性纤维、纳米氧化铝颗粒。
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